【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2014年12月9日提交的申请号为10-2014-0175922的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的典型实施例涉及一种半导体设计工艺，尤其涉及一种半导体器件的上电操作。
技术介绍
半导体器件包括用于保证内部电路稳定操作的上电信号发生电路。为了内部电路的稳定操作，上电信号发生电路当外部电压达到目标电压(例如电压电平)时激活上电信号。
技术实现思路
各种实施例是针对能够在上电操作时段期间最小化峰值电流大小的半导体器件。在实施例中，一种半导体器件可以包括：第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位第一参考电压；第一内部电压发生单元，适用于接收外部电压而以与第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及第二内部电压发生单元，适用于接收外部电压以基于比预设电压大的第二参考电压来驱动内部电压端子。第一参考电压发生单元可以在外部电压小于或等于自接地电压在正方向上偏移预设电压的电压的时段期间，输出具有与外部电压相同的电压的第一参考电压，以及在外部电压大于自接地电压在正方向上偏移预设电压的电压的时段期间，将第一参考电压钳位在自接地电压在正方向上偏移预设电压的电压。在上电操作时段之后，第二内部电压发生单元可以在内部电压小于或等于第二参考电压的时段期间，将外部电压端子耦接至内部电压端子，以...
【技术保护点】
一种半导体器件包括：第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电压在正方向上的预设电压来钳位所述第一参考电压；第一内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第一参考电压相对应的驱动能力来驱动内部电压端子；以及第二内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压以基于比所述预设电压大的第二参考电压来驱动所述内部电压端子。
【技术特征摘要】
2014.12.09 KR 10-2014-01759221.一种半导体器件包括：
第一参考电压发生单元，适用于输出外部电压作为第一参考电压以及基于自接地电
压在正方向上的预设电压来钳位所述第一参考电压；
第一内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压而以与所述第一参考电压相对应
的驱动能力来驱动内部电压端子；以及
第二内部电压发生单元，适用于接收所述外部电压以基于比所述预设电压大的第二
参考电压来驱动所述内部电压端子。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元在所述外部
电压小于或等于自接地电压在正方向上偏移预设电压的电压的时段期间，输出具有与所
述外部电压相同的电压的所述第一参考电压，以及在所述外部电压大于自所述接地电压
在正方向上偏移所述预设电压的电压的时段期间，将所述第一参考电压钳位在自所述接
地电压在正方向上偏移所述预设电压的电压。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在上电操作时段之后，所述第二内部电
压发生单元在内部电压小于或等于所述第二参考电压的时段期间，将外部电压端子耦接
至所述内部电压端子，以及在所述内部电压大于所述第二参考的电压的时段期间，使所
述外部电压端子与所述内部电压端子分离。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一参考电压发生单元包括耗尽型
NMOS晶体管，所述耗尽型NMOS晶体管适用于：当阈值电压自所述接地电压在负方
向上被偏移所述预设电压时将栅极端子固定为所述接地电压，以及响应于耦接至漏极端
子的所述外部电压的变化来调节耦接至源极端子的所述第一参考电压。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一内部电压发生单元包括NMOS
晶体管，所述NMOS晶体管适用于：响应于施加至栅极端子的所述第一参考电压来调节
在耦接至漏极端子的外部电压端子和耦接至源极端子的内部电压端子之间流动的电流。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二内部电压发生单元包括：
比较单元，适用于产生控制信号，所述控制信号的激活是响应于内部电压与所述第
二参考电压之间的比较结果和在上电操作时段之后被激活的使能信号而确定的；以及
耦接控制单元，适用于：在所述控制信号的激活时段期间将外部电压端子耦接至所
述内部电压端子，以及在所述控制信号的非激活时段期间使所述外部电压端子与所述内
\t部电压端子分离。
7.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
第一汇聚单元，被耦接在第一参考电压端子和接地电压端子之间，以...
【专利技术属性】
技术研发人员：权兑辉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。