【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成开口；在开口中形成第一种子层；通过对第一种子层进行表面处理，形成第一缓冲层；以及通过经由第一缓冲层氧化第一种子层，来形成阻挡层。
2、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成开口；在开口中形成氮氧化硅层；通过对氮氧化硅层进行表面处理，来形成第一氧化物层；通过经由第一氧化物层来氧化氮氧化硅层，形成第二氧化物层；以及在第二氧化物层中形成沟道层。
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一种子层包括比氮化硅具有更低氮浓度的材料。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一种子层包括氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一种子层时，使用原子层沉积ALD形成所述第一种子层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一缓冲层时，使用OH自由基来氧化所述第一种子层的表面。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一缓冲层包括氧化硅。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一种子层包括比氮化硅具有更低氮浓度的材料。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一种子层包括氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一种子层时，使用原子层沉积ald形成所述第一种子层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述第一缓冲层时，使用oh自由基来氧化所述第一种子层的表面。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一缓冲层包括氧化硅。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一缓冲层是原位形成的。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述开口具有异常轮廓。
9....
【专利技术属性】
技术研发人员：金种基，卢英辰，朴宰吾，宾真昈，刘东哲，全唯一，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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