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半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:40907561
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一种半导体装置的制造方法可以包括:形成包括交替层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物;在层叠物中形成开口;在开口中形成第一种子层;通过对第一种子层进行表面处理来形成第一缓冲层;以及通过经由第一缓冲层氧化第一种子层来形成阻挡层。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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