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本发明提供一种半导体器件，该半导体器件具有：设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过凸状态的第一绝缘...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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