【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于提高发光器件效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：1]在基础材料生长结束之后对基础材料进行处理，使基础材料的表面形成粗糙的微观结构；2]对经步骤1处理完成后的基础材料进行后续相关的量子阱和后续结构的外延生长。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李淼，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，西安神光安瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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