本发明属于LED图形化衬底技术领域，提供一种利用AAO模板制备纳米图形化衬底的方法，其步骤包括：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后使用湿法刻蚀或干法刻蚀将AAO模板的孔道复制到单晶衬底上，最终获得纳米孔道图形化衬底。采用本发明提供...

本发明属于LED图形化衬底技术领域，提供一种利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其步骤包括：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后将AAO模板的孔道底部打穿、直至与单晶衬底表面连接，最终获得长有AAO薄层的复合纳米图形化衬底。...

本发明提供一种减少外延层缺陷密度的外延生长方法，在衬底上生长得到表面平整的u-GaN层，包括以下步骤：1)生长一层低温GaN缓冲层；2)生长一层u-GaN；3)采用熔融KOH或H3PO4液腐蚀u-GaN，表面位错被腐蚀形成凹坑；4)清洗...

本发明提供一种蓝宝石图形衬底的制备方法，以进一步提高异质外延生长结构的晶体质量、提高光效。本发明主要包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上制备一层SiO2薄膜；2)在SiO2薄膜上继续热蒸镀一层Ni膜，通过快速热退火制备Ni纳米岛；3)以Ni...

本发明涉及一种GaN基LED外延有源区基础结构的外延生长方法,以改善普通外延生长晶体质量差、光效低的现状。步骤包括：(1)在覆盖有GaN层的衬底上PECVD沉积一层SiO2，再在SiO2上蒸镀一层Ni薄膜，通过快速热退火制备Ni纳米岛；...

本发明涉及一种提高皇冠型蓝宝石图形化衬底均匀性的套刻方法。其实现步骤包括：(1)在抛光后的衬底表面旋涂光刻胶；(2)选择第一光刻板，用光刻机对涂胶后的衬底表面进行曝光并显影；(3)使用ICP刻蚀显影后的带胶衬底；(4)将刻蚀后的衬底酸洗...

本发明提出一种提高光刻胶灰化率的ICP干式清洗方法，包括以下步骤：1)在抛光后的蓝宝石表面旋涂一层1.0～3.0μm的光刻胶，对光刻胶进行曝光，经过显影得到具有规则图形阵列的光刻胶掩膜；2)将蓝宝石衬底用ICP刻蚀，获得图形化蓝宝石衬底...

本发明提出一种用于提高外延质量的图形化衬底的制备方法。该方法主要包括以下步骤：1)在抛光后的Al2O3衬底表面使用磁控溅射手段沉积一层AlN薄膜，作为后续GaN生长的籽晶层；2)在AlN薄膜层上采用PECVD技术生长一层Si02薄膜；3...

本实用新型提出了一种提高清洗机产能的装置，包括转动轴、与转动轴连接的抓手轴以及设置在抓手轴端部的抓手部件，抓手轴是两个，沿转动轴的轴向方向对称设置。本实用新型一种提高清洗机产能的装置，清洗效率提高，提高了清洗机台的产能。

本实用新型公开了一种外延生长时gap值的测量装置，包括架体，架体上设有千分计，所述千分计有n个，n个千分计按圆周均匀设置；n为大于或等于3的正整数。本实用新型提供的一种外延生长时gap值的测量装置，可有效的快速检测并调整因基座盘的变形导...

本实用新型提供了一种去边液处理装置，包括压力气源、承压罐、出液管路，承压罐内装有去边液，压力气源通过气体管路与承压罐相连，出液管路与承压罐相连，出液管路上设有流量计和气动阀，所述压力气源的气源为氦气；出液管路上还设有真空罐；真空罐内设有...

本发明提出了一种提高外延片亮度的三角锥图形衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在清洗后的抛光衬底表面旋涂一层光刻胶；2)对涂有光刻胶的衬底进行曝光；显影后得到圆柱型光刻胶掩膜；并对生成的光刻胶掩膜进行烘烤；3)ICP刻蚀步骤2)显影后的样...

本实用新型公开了一种显影胶杯，包括杯底、杯口以及连接杯底与杯口的侧壁，杯底的直径大于杯口的直径，所述侧壁为圆弧形侧壁，所述圆弧形侧壁向显影胶杯杯体的外部凸出。本实用新型提供的一种显影胶杯，可以减少废液反溅对晶圆品质的影响。

本实用新型提供一种具有温度测试功能的ICP刻蚀机，主要解决了现有ICP刻蚀机无法侦测铝托盘的具体温度，从而导致晶圆加工不稳定，影响蚀刻速率和选择比的问题。该具有温度测试功能的ICP刻蚀机包括铝托盘，所述铝托盘上设置有用于侦测铝托盘实时温...

本实用新型提供一种氦气测漏装置，主要解决了现有装载晶圆的托盘开始执行工艺配方后才能够了解氦气泄漏的大小，从而严重影响ICP蚀刻机蚀刻效果的问题。该氦气测漏装置包括用于固定装载晶圆的托盘的固定机构，用于将托盘和固定机构接触面之间形成的腔体...

本实用新型涉及一种匀胶机的CUP外壳清洗装置，包括密封罐、供气单元、第一管道、第二管道、环形管道；所述密封罐通过第一管道与供气单元相连，密封罐通过第二管道与环形管道相连；所述第一管道包括出气口，第二管道包括清洗液入口；所述密封罐内装有清...

本实用新型提出了一种火山型掩膜版，包括光刻板，光刻板上设置环形阵列单元，环形阵列单元包括多个火山型单元，火山型单元两两之间距离相等。本实用新型的火山型掩膜版及其图形化衬底，以便利用火山型掩膜版简化图形化衬底的制造流程、降低成本的同时，避...

本实用新型提供一种涂胶装置，包括依次连接的光刻胶瓶、胶泵和控制阀，该装置还包括设置在胶泵与控制阀之间的耐化学品腐蚀的囊式过滤器。本实用新型在胶泵管路中加入一个过滤器，可在胶泵打胶时过滤掉胶中的杂质和颗粒，可提升涂胶后胶层的质量，提高在线...

本实用新型提供一种磁流体保护装置，包括磁流体本体、设置在磁流体本体上方的主轴，还包括保护装置，所述保护装置为下端开口的圆筒结构，所述主轴穿过保护装置的上底面，所述保护装置的筒壁外径与磁流体本体外径相等，所述保护装置的高度小于磁流体本体的...

本实用新型提供一种涂胶机室，包括胶杯、涂胶机台，所述涂胶机台包括晶片和吸盘，晶片设置于吸盘上，所述胶杯为圆台状，其横截面为T形，所述吸盘的位置与胶杯内侧顶端的间距为0.6―1.5cm，晶片边缘与胶杯侧壁的最短距离为2―4cm，在整个涂布...