【技术实现步骤摘要】
一种采用Si基衬底的二极管
本专利技术涉及的是一种二极管,具体涉及一种采用Si基衬底的二极管。
技术介绍
Si衬底和GaN之间较大的热膨胀系数差异导致较大的热失配。Si的热膨胀系数为3.59×10-6K-1,而GaN的热膨胀系数为5.59×10-6K-1,二者相差很大,造成高温生长后降温的过程中外延层将承受很大的张应力,由于外延层的厚度远小于衬底厚度,所以外延层会产生裂纹,由于Si原子间形成的健是纯共价键属非极性半导体,而GaN原子间是极性键属极性半导体。对于极性/非极性异质结界面有许多物理性质不同于传统异质结器件,所以界面原子、电子结构、晶格失配、界面电荷和偶极矩、带阶、输运特性等都会有很大的不同,Si衬底上Si原子的扩散也是一个重要问题,在高温生长过程中Si原子的扩散加剧,导致外延层中会含有一定量的Si原子,这些Si原子易于与生长气氛中的氨气发生反应,而在衬底表面形成非晶态SixNy薄膜,降低外延层的晶体质量。另外,Ga原子也可以扩散到Si衬底表面发生很强的化学反应,将对衬底产生回熔而破坏界面,降低外延层的晶体质量。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足,本专利技术目的是在于提供一种采用Si基衬底的二极管,衬底热导率高,可靠性高,发光层背面为金属反射镜,表面有粗化结构,取光效率高。为了实现上述目的,本专利技术是通过如下的技术方案来实现:一种采用Si基衬底的二极管,包括背面Au电极、Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、AlN/GaN超晶格层、粘贴金属、金属反射镜、GaN外延层和正面Au电极,背面Au电极上设置有Si衬底,Si衬底上依次设置有AlN缓冲 ...
【技术保护点】
一种采用Si基衬底的二极管,其特征在于,包括背面Tu电极(1)、Si衬底(2)、AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)、GaN外延层(8)和正面Tu电极(9),背面Tu电极(1)上设置有Si衬底(2),Si衬底(2)上依次设置有AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)和GaN外延层(8),GaN外延层(8)外部设置有正面Tu电极(9)。
【技术特征摘要】
1.一种采用Si基衬底的二极管,其特征在于,包括背面Au电极(1)、Si衬底(2)、AlN缓冲层(3)、AlGaN缓冲层(4)、AlN/GaN超晶格层(5)、粘贴金属(6)、金属反射镜(7)、GaN外延层(8)和正面Au电极(9),背面Au电极(1)上设置有Si衬底(2),Si衬...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄志文,
申请(专利权)人:南宁市柳川华邦电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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