偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，包括硅衬底和设置在硅衬底上的第一NMOS管和第二NMOS管；两个NMOS管的栅极分别与各自的漏极连接；第一NMOS管漏极连接电源；第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极接地；第一NMOS管和第二NMOS管相同，两者的栅极长度均为1.28～128.25μm，作为偶极子天线使用。该太赫兹探测器在标准CMOS工艺下，将NMOS管的栅极作为探测器的偶极子天线结构，实现了天线和温度传感器集成，减小芯片面积，节约成本。

Terahertz detector integrated with dipole antenna and NMOS temperature sensor

The invention discloses a terahertz detector dipole antenna and NMOS temperature sensor integration, including silicon substrate and silicon substrate is arranged in the first second NMOS tube and NMOS tube; two NMOS pipes respectively connected with the respective pole gate leakage; the drain is connected to power supply of the first NMOS tube; first NMOS tube source connection the drain of the second NMOS tube, second NMOS tube source ground; the first second NMOS tube and NMOS tube, the gate length is 1.28 ~ 128.25 m, used as a dipole antenna. Under the standard CMOS process, the detector of the NMOS tube is used as the dipole antenna structure of the detector to realize the integration of the antenna and the temperature sensor, thereby reducing the chip area and saving the cost.

【技术实现步骤摘要】
偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器
本专利技术涉及半导体电磁波探测领域，特别是涉及一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器。
技术介绍
太赫兹波是指一种介于毫米波段与红外波段之间的电磁波，太赫兹频段被定义到0.3THz到30THz之间(波长为1mm～10μm)，属于电子学和光学的交界区域。太赫兹波相较于x射线能量更低，相比于可见光穿透性更好，这些特性使得太赫兹成像在安全监测、医疗卫生方面有巨大的发展前景。太赫兹探测器的种类有很多，例如天线耦合的FET(FieldEffectTransistor)自混合探测器，天线耦合的肖特基二极管探测器，异质结探测器和天线耦合的太赫兹热探测器等。这些探测器都有着相同的特点：均是由探测天线和感知器件进行耦合的，并且两个部分是相互独立的。现在太赫兹热探测所使用到的温度传感部分大多采用的是PTAT(proportionaltoabsolutetemperature)电路或者是三极管等温度传感器件，但是PTAT电路很复杂，所需要的器件数量较多，占据了较大的芯片面积，造成了成本上的增加；三极管、二极管等器件在CMOS(Comple本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：包括硅衬底(1)和设置在所述硅衬底(1)上的第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)；所述第一NMOS管(2)的栅极(201)与其漏极(202)连接；所述第二NMOS管(3)的栅极(301)与其漏极(302)连接；所述第一NMOS管(2)漏极(202)连接电源(204)；所述第一NMOS管(2)的源极(203)连接第二NMOS管(3)的漏极，所述第二NMOS管(3)的源极(303)接地；所述第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)相同，其栅极作为偶极子天线使用，所述第一、第二NMOS管的栅极(201，301)长度为1.28...

【技术特征摘要】
1.一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：包括硅衬底(1)和设置在所述硅衬底(1)上的第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)；所述第一NMOS管(2)的栅极(201)与其漏极(202)连接；所述第二NMOS管(3)的栅极(301)与其漏极(302)连接；所述第一NMOS管(2)漏极(202)连接电源(204)；所述第一NMOS管(2)的源极(203)连接第二NMOS管(3)的漏极，所述第二NMOS管(3)的源极(303)接地；所述第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)相同，其栅极作为偶极子天线使用，所述第一、第二NMOS管的栅极(201，301)长度为1.28～128.25μm。2.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈霏，李子蒙，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12