偶极子天线中的具备SiO制造技术

本发明专利技术公开一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括：SOI衬底、第一天线臂、第二天线臂和同轴馈线；所述第一天线臂和第二天线臂包括多个具备SiO

The dipole antenna has SiO

Which have SiO2 protective layer SPiN diode preparation method, the invention discloses a dipole antenna, the reconfigurable dipole antenna includes a SOI substrate, a first antenna, a second antenna arm arm and a coaxial feeder; the first antenna and the second antenna arm arm comprises a plurality of SiO

【技术实现步骤摘要】
偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法
本专利技术属于半导体器件制造
，涉及天线
，尤其涉及一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法。
技术介绍
随着科学技术的进一步发展，无线通信技术在人们的生活中发挥着越来越重要的作用。无线通信利用无线电波进行工作，而无线电波的接收和发送靠天线完成，天线的性能直接影响整个无线通信系统。传统金属天线由于其重量和体积都相对较大，设计制作不灵活，自重构性和适应性较差，严重制约了雷达与通信系统的发展和性能的进一步提高。因此，近年来，研究天线宽频带、小型化、以及重构与复用的理论日趋活跃。然而目前的频率可重构微带天线的各部分有互耦影响，频率跳变慢，馈源结构复杂，隐身性能不佳，剖面高，集成加工的难度高。因此，用何种材料如何制作一种体积小、剖面低，结构简单、易于加工的可重构天线就变得尤为重要。
技术实现思路
为解决现有技术的缺陷和不足，本专利技术提出一种可重构偶极子天线的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术的实施例提供了一种偶极子天线中的具备SiO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偶极子天线中的具备SiO

【技术特征摘要】
1.一种偶极子天线中的具备SiO2保护层的SPiN二极管的制备方法，其特征在于，所述偶极子天线包括：SOI衬底(1)、第一天线臂(2)、第二天线臂(3)和同轴馈线(4)；所述第一天线臂(2)和第二天线臂(3)包括多个具备SiO2保护层的SPiN二极管串，所述SiO2保护层的SPiN二极管串由依次首尾相连的具备SiO2保护层的SPiN二极管构成，所述SiO2保护层的SPiN二极管的制造方法包括如下步骤：(a)选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽；(b)利用氧化工艺，对所述有源区沟槽侧壁进行氧化以在所述有源区沟槽侧壁形成氧化层；(c)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述有源区沟槽侧壁的平整化；(d)对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(e)光刻引线孔并金属化处理以形成所述SiO2保护层的SPiN二极管。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述偶极子天线还包括直流偏置线，所述直流偏置线采用化学气相淀积的方法固定于SOI衬底上；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)分别设置于所述同轴馈线(4)的两侧。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一天线臂(2)包括依次串接的第一SPiN二极管串(w1)、第二SPiN二极管串(w2)及第三SPiN二极管串(w3)，所述第二天线臂(3)包括依次串接的第四SPiN二极管串(w4)、第五SPiN二极管串(w5)及第六SPiN二极管串(w6)；其中，所述第一SPiN二极管串(w1)的长度等于所述第六SPiN二极管串(w6)的长度，所述第二SPiN二极管串(w2)的长度等于所述第五SPiN二极管串(w5)的长度，所述第三SPiN二极管串(w3)的长度等于所述第四SPiN二极管串(w4)的长度。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(a)包括：(a1)利用CVD工艺，在所述SOI衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，张亮，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61