【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种激光剥离薄膜LED，其特征在于，所述激光剥离薄膜LED的芯片单元包括：芯片部分和衬底；芯片部分包括：n型层(1)，在n型层上具有与n电极的突起相对应的周期性n型盲孔，在n型层上的周期性的n型盲孔之间的量子阱(2)，在量子阱上的p型层(3)，在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构(4)，在p型层上的p电极(5)，在p电极上及n型盲孔的侧壁上的绝缘层(6)，绝缘层上的n电极(7)，n电极具有周期性的突起，周期性的突起伸入至n型层内；衬底包括导电导热衬底(8)和n电极焊盘(9)；芯片部分倒扣在衬底上；以及在芯片部分一角的p焊盘(10)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志忠，焦倩倩，姜爽，付星星，姜显哲，马健，张国义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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