【技术实现步骤摘要】
一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构
本技术涉及一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜,用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形,利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石,并去掉掩膜,再在其上生长GaN材料,使GaN材料的纵向外延变为横向外延,一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度,从而减小有源区的非辐射复合,减小反向漏电流,提高LED的寿命;另一方面有源区发出的光,经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射,改变了全反射光的出射角,增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率,从而提高了光的提取效率,在加工过程中会对图形化蓝宝石衬底进行涂胶、烤胶、爆光,涂胶边易会产生杂质,需要经过清洗,为此我们提出一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构。
技术实现思路
本技术的目的是克服上述缺陷,提供的一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构。为实现上述目的,本技术采用如下方式进行。一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构,包括容器、图形化蓝宝石衬底,其特征在于它还包括显影液、氮气输入管、流量管、控制阀、流量表、喷头;所述的显影液位于容器内;所述氮气输入管与容器瓶口上的密封盖配合安装,且氮气输入管伸入容器内一定的长度;所述的流量管分为流量输入管与流量输出管;流量管与容器瓶口上的密封盖配合安装,且与氮气输入管相邻;流量输入管伸入容器底部,置于显影液中;流量输出管设于容器外部,倾斜安装于图形化蓝宝石衬底底部;所述的控制阀安装于流量输出管上,位于容器密封盖与流量表之间;所述的流量表安装于流量输出管上,位于控制阀与喷头之间;所述的喷头与流量输出管的输出口配 ...
【技术保护点】
一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构,包括容器(1)、图形化蓝宝石衬底(8),其特征在于它还包括显影液(2)、氮气输入管(3)、流量管(4)、控制阀(5)、流量表(6)、喷头(7);所述的显影液(2)位于容器(1)内;所述氮气输入管(3)与容器(1)瓶口上的密封盖配合安装,且氮气输入管(3)伸入容器(1)内一定的长度;所述的流量管(4)分为流量输入管(4‑1)与流量输出管(4‑2);流量管(4)与容器(1)瓶口上的密封盖配合安装,且与氮气输入管(3)相邻;流量输入管(4‑1)伸入容器(1)底部,置于显影液(2)中;流量输出管(4‑2)设于容器(1)外部,倾斜安装于图形化蓝宝石衬底(8)底部;所述的控制阀(5)安装于流量输出管(4‑2)上,位于容器(1)密封盖与流量表(6)之间;所述的流量表(6)安装于流量输出管(4‑2)上,位于控制阀(5)与喷头(7)之间;所述的喷头(7)与流量输出管(4‑2)的输出口配合安装,位于图形化蓝宝石衬底(8)底部。
【技术特征摘要】
1.一种图形化蓝宝石衬底涂胶去边清洗结构,包括容器(1)、图形化蓝宝石衬底(8),其特征在于它还包括显影液(2)、氮气输入管(3)、流量管(4)、控制阀(5)、流量表(6)、喷头(7);所述的显影液(2)位于容器(1)内;所述氮气输入管(3)与容器(1)瓶口上的密封盖配合安装,且氮气输入管(3)伸入容器(1)内一定的长度;所述的流量管(4)分为流量输入管(4-1)与流量输出管(4-2);流量管(4)与容器(1)瓶口上的密封盖配合安装,且与氮气输入管(3)相邻;流量输入管(4-1)伸入容器(1)底部,置于显影液(2)中;流量输出管(4-2)设于容器(1)外部,倾斜安装于图形化蓝宝石衬底(8)底部;所述的控制阀(5)安装于流量输出管(4-2)上,位于容器(1)密封盖与流量表(6)之间;所述的流量表(6...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯想,刘杨,陈锋,
申请(专利权)人:福建中晶科技有限公司,
类型:新型
国别省市:福建,35
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