LED半导体元件制造技术

技术编号:9158200 阅读:138 留言:0更新日期:2013-09-12 22:19
本实用新型专利技术涉及LED半导体元件,其包含有至少一个半导体层,所述半导体层包括下半导体层和上半导体层,所述下半导体层和所述上半导体层之间包含有生成于下半导体层的上端面的粗化层,所述粗化层包括多个突起,所述粗化层上生成有连续的氮化物材料层,所述突起穿过并突出于所述氮化物材料层;所述氮化物材料层的四周露出于所述粗化层之外。本实用新型专利技术提供全程在外延工艺中即可成长的具有由粗化层和氮化物材料层所构成的缺陷阻挡层的LED半导体元件,降低半导体层中的位错缺陷,提高材料晶体质量,进而改善发光器件的性能,不需要二次外延,不需要经过光刻、腐蚀等复杂步骤来制作图形,具有实现方法简单易行、成本低等优点。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种LED半导体元件,其特征在于,包含有至少一个半导体层,所述半导体层包括下半导体层和上半导体层,所述下半导体层和所述上半导体层之间包含有生成于下半导体层的上端面的粗化层,所述粗化层包括多个突起,所述粗化层上生成有连续的氮化物材料层,所述突起穿过并突出于所述氮化物材料层;所述氮化物材料层的四周露出于所述粗化层之外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王冬雷
申请(专利权)人:芜湖德豪润达光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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