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本实用新型涉及LED半导体元件，其包含有至少一个半导体层，所述半导体层包括下半导体层和上半导体层，所述下半导体层和所述上半导体层之间包含有生成于下半导体层的上端面的粗化层，所述粗化层包括多个突起，所述粗化层上生成有连续的氮化物材料层，所述突...
该专利属于芜湖德豪润达光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖德豪润达光电科技有限公司授权不得商用。

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