一种具有高耐压低导通压降特性的金属氧化物二极管制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种高耐压低导通压降的金属氧化物半导体二极管。该金属氧化物半导体二极管具有电子积累层结构和结型场效应管结构，二极管可以获得较低的导通压降；同时采用掺杂浓度较高的N型区3，使二极管在正向导通时的导通压降进一步降低。器件反向阻断时，P型区8与P型埋层7所含的受主杂质与N型区3所含的施主杂质相互耗尽，使漂移区的电场分布呈矩形分布，可提高器件的反向阻断电压。因此，本发明专利技术提出的新结构同时具有高耐压与低导通压降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种具有高耐压低导通压降特性的金属氧化物二极管。
技术介绍
二极管是最常用的电子元件之一，传统的整流二极管主要是肖特基整流器和PN结整流器。其中，PN结二极管能够承受较高的反向阻断电压，稳定性较好，但是其正向导通压降较大，反向恢复时间较长。肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的，通态压降较低。由于是单极载流子导电，肖特基二极管在正向导通时没有过剩的少数载流子积累，反向恢复较快。但是肖特基二极管的反向击穿电压较低，反向漏电流较大，温度特性较差。为了提高二极管的性能，国内外研究者们一直试图结合PN结二极管和肖特基二极管的优点，提出了PiN二极管、结势垒控制整流器JBS(JBS：Junction Barrier Schottky Rectifier)、MOS控制二极管MCD(MCD：MOS Controlled Diode)、槽栅MOS势垒肖特基二极管TMBS(TMBS：Trench MOS Barrier Shcotty Diode)等器件。专利“浅槽金属氧化物二极管(CN 102064201A)”提出了一种新型的半导体二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高耐压低导通压降特性的金属氧化物二极管，包括从上至下依次层叠设置的阳极电极(9)、N‑掺杂区(4)、N型区(3)、N型重掺杂单晶硅衬底(2)和阴极电极(1)；所述阳极电极(9)的两端垂直向下延伸入N‑掺杂区(4)中，N‑掺杂区(4)与阳极电极(9)向下延伸的部分之间具有N型重掺杂区(5)；两侧的N型重掺杂区(5)之间的N‑掺杂区(4)上表面具有平面栅结构，所述平面栅结构位于阳极电极(1)中，所述平面栅结构包括栅氧化层(10)和位于氧化层(10)上表面的多晶硅栅电极(11)，氧化层(10)下表面与部分N型重掺杂区(5)上表面接触；所述阳极电极(9)向下延伸部分的正下方具有N型重掺杂区(6...

【技术特征摘要】
1.一种具有高耐压低导通压降特性的金属氧化物二极管，包括从上至下依次层叠设置的阳极电极(9)、N-掺杂区(4)、N型区(3)、N型重掺杂单晶硅衬底(2)和阴极电极(1)；所述阳极电极(9)的两端垂直向下延伸入N-掺杂区(4)中，N-掺杂区(4)与阳极电极(9)向下延伸的部分之间具有N型重掺杂区(5)；两侧的N型重掺杂区(5)之间的N-掺杂区(4)上表面具有平面栅结构，所述平面栅结构位于阳极电极(1)中，所述平面栅结构包括栅氧化层(10)和位于氧化层(10)上表面的多晶硅栅电极(11)，氧化层(10)下表面与部分N型重掺杂区(5)上表面接触；所述阳极电极(9)向下延伸部分的正下方具有N型重掺杂区(6)；所述N型重掺杂区(6)的下方具有P型区(8)和P型埋层(7)且P型埋层(7)与N-掺杂区(4)相连，所述P型区(8)垂直向下延伸至与N型重掺杂单晶硅衬底(2)的上表面连接，P型埋层(7)下表面与N型区(3)的上表面连接；所述P型埋层(7)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，李爽，陈哲，曹晓峰，李泽宏，张金平，高巍，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51