新型肖特基二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种肖特基二极管。
技术介绍
在电路设计中，经常会使用到肖特基二极管，但为了控制成本，一般不会额外增加光刻版。现有技术中，寄生而成的肖特基二极管，一般很难同时兼顾大正向导通电流和高反向击穿电压的需求。现有技术中，要同时获得大的正向导通电流和高的反向击穿电压，需要额外增加光刻版，使成本增加。如图1所示，受限于P+/HN结击穿电压，使肖特基二极管的反向击穿电压偏低，而如图2所示的结构中，则由于PW较深，肖特基二极管的正向导通电流需要先纵向流至PW底部，再横向流经PW与Psub间低浓底的HN区域，电流的流经路径较长，且流经区域N型浓度偏低，从而使正向导通电流偏小。
技术实现思路
为了克服已有肖特基二极管获得大的正向导通电流和高的反向击穿电压的成本较高的不足，本技术提供了一种同时兼顾大正向导通电流和高反向击穿电压的需求、降低成本的新型肖特基二极管。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，在W方向上看，所述肖特基二极管呈分段的肖特基结与PN结结构；在L方向上看，所述肖特基二极管呈高压器件结构。进一步，所述高压N阱区与金属层连接，所述肖特基二极管还包括多晶硅场板，所述多晶硅场板与所述金属层连接。本技术的技术构思为：利用高压器件结构，可以获得高的反向击穿电压，而正向导通时，电流主要流经硅表面，导通电阻较小，从而拥有较高的正向导通电流，W方向为分段的普通PN结和肖特基结，使肖特基电流流经硅表面，流经路径短且电阻小，所以正向导通电流更大。同时，W方...
【技术保护点】
一种新型肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，其特征在于：在W方向上看，所述肖特基二极管呈分段的肖特基结与PN结结构；在L方向上看，所述肖特基二极管呈高压器件结构。
【技术特征摘要】
1.一种新型肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，其特征在于：在W方向上看，所述肖特基二极管呈分段的肖特基结与PN结结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩广涛，陆阳，黄必亮，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。