背面带有标记的太赫兹肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底，所述半绝缘GaAs衬底的下表面设有标记，用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。通过在衬底的背面上制作标记，区分二极管的阳极和阴极，避免装配错误，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及肖特基二极管
，尤其涉及一种方便倒装焊接时区分二极管的阴极和阳极的太赫兹肖特基二极管。
技术介绍
太赫兹（THz）波是指频率在 0.3-3THz范围内的电磁波，广义的太赫兹波频率是指100GHz到10THz，其中 1THz=1000GHz。THz波在电磁波频谱中占有很特殊的位置，THz技术是国际科技界公认的一个非常重要的交叉前沿领域。在THz频率低端范围内，通常采用半导体器件倍频方法获得固态源。该方法是将毫米波通过非线性半导体器件倍频至THz频段，具有结构紧凑、易于调节、寿命长，波形可控，常温工作等优点。目前短波长亚毫米波、THz固态源主要依靠倍频的方式获得。利用肖特基二极管器件实现高效倍频不仅电路结构简单、倍频效率较高，还兼有振荡源具有的较高输出功率、倍频放大链高频率稳定度、低相位噪声的优点；同时肖特基二极管器件可稳定工作于30GHz~3000GHz整个毫米波及亚毫米波频段。目前先进的变容二极管（RAL和VDI等研究机构生产）已经可以工作于3.1THz，具有良好的连续波功率和效率。因此肖特基二极管高效倍频技术非常适于高性能的毫米波、亚毫米波、THz系统，是一种极具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底（5），其特征在于：所述半绝缘GaAs衬底（5）的下表面设有标记（9），用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。

【技术特征摘要】
1.一种背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体包括半绝缘GaAs衬底（5），其特征在于：所述半绝缘GaAs衬底（5）的下表面设有标记（9），用于指示所述二极管本体正面的电极位置，区分阴极和阳极。2.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记（9）位于所述二极管本体的阳极侧，用于指示所述二极管本体正面的阳极位置。3.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记（9）位于所述二极管本体的阴极侧，用于指示所述二极管本体正面的阴极位置。4.如权利要求1所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述标记位于二极管本体背面的中部，通过标记（9）的走向指示所述二极管本体的阳极或阴极的位置。5.如权利要求1-4中任意一项所述的背面带有标记的太赫兹肖特基二极管，其特征在于：所述二极管本体包括半绝缘GaAs衬底（5），所述GaAs衬底（5）的上表面设有钝化层（1），所述钝化层（1）为两个连续的环状结构，每个环状结构内的GaAs衬底的上表面设有重掺杂GaAs层（6），每个重掺杂GaAs层（6）的上表面为台阶状，每个重...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊龙，冯志红，邢东，梁士雄，张立森，杨大宝，赵向阳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13