一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法技术
Method for preparing molybdenum doped Zinc Oxide film with controllable transmissivity in terahertz band
The invention belongs to the technical field of transparent conductive film, in particular to a preparation method of a Molybdenum Doped Zinc Oxide film with controllable transmissivity in the terahertz band. The optical properties, the invention uses reactive DC magnetron sputtering and annealing technology to control the Zinc Oxide Molybdenum Doped thin films in THz band in particular: by reactive DC magnetron sputtering method, with zinc and molybdenum metal mosaic as the target on quartz glass substrate by ion bombardment of the target Ar, the formation of Molybdenum Doped thin films have a polycrystalline structure of Zinc Oxide. Then, under certain conditions, the transmission of Molybdenum Doped Zinc Oxide film in terahertz band is controlled by annealing. The method has the advantages of good technological stability and promising industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法
本专利技术属于透明导电薄膜
，具体涉及一种用反应直流磁控溅射法制备在太赫兹波段具有可控透射率的掺钼氧化锌透明导电薄膜的方法。
技术介绍
透明导电氧化物(TCO)薄膜是一种高简并的半导体材料，以其独特的透明性与导电性结合于一体而广泛应用于光电器件领域如平板显示器和太阳能电池等。其中最具代表性的材料是In2O3:Sn(ITO)、SnO2:F和ZnO:Al(AZO)薄膜。透明导电薄膜材料一般具有高的载流子浓度，费米能级（EF）位于导带能级（EC）以上，电阻率可低至10-4Ω·cm；而且具有宽的禁带宽度（>3eV），使薄膜在可见光及近红外光范围具有高的透射率（>80%）。目前的透明导电薄膜的载流子浓度已经达到1.5×1021cm-3，接近上限2×1021cm-3，因此通过进一步提高载流子浓度来降低电阻率已经很困难，并且很高的载流子浓度会严重影响到透明导电薄膜的光学性能。高价态元素(如Mo、W等)的掺杂提供了解决这一问题的一个新的途径，即通过提高载流子迁移率而非载流子浓度来提高透明导电薄膜的电导率。因...
【技术保护点】
一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在基板温度为20~300℃条件下，以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以石英玻璃为基板，通过反应直流磁控溅射法，用Ar离子轰击靶材进行溅射，溅射电流150~300mA，溅射电压100~400V，反应室内的气体为氧氩混合气体，溅射时压强为0.45~2.5Pa，其中O
【技术特征摘要】
1.一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在基板温度为20~300℃条件下，以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以石英玻璃为基板，通过反应直流磁控溅射法，用Ar离子轰击靶材进行溅射，溅射电流150~300mA，溅射电压100~400V，反应室内的气体为氧氩混合气体，溅射时压强为0.45~2.5Pa，其中O2反应气体的分压百分含量为4.0～20.0％，溅射时间40~100分钟，形成具有多晶结构的掺钼氧化锌薄膜；（2）然后，在大气或氩气...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈杰，郑明扬，任锦华，靳琦，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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