n型CuO薄膜的制备方法、反型异质结技术

本发明专利技术提供了一种n型CuO薄膜的制备方法，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。与现有技术相比，本发明专利技术通过改变溅射过程中的参数从而对所制备薄膜的导电类型进行调控，通从而使沉积的CuO薄膜出现氧空位，呈现n型导电，所制备得到的n型CuO薄膜属于电子导电，其电子迁移率更高，导电性较好，在光照下产生的光生电子寿命长，在内建电场的作用下容易有效分离，减小了复合率；并且可与p型硅形成的异质结具有良好的整流特征，在光解水制氢中可有效地对载流子进行分离，提高效率。

Preparation methods of N type CuO thin films and anti heterojunction

The invention provides a preparation method, N type CuO films include: S) the copper target magnetron sputtering in the working gas and reaction gas environment, N type CuO thin films deposited on substrate; sputtering power of the magnetron sputtering is 40 ~ 60W. Compared with the prior art, the invention by changing the parameters of sputtering process of conductive type film prepared through regulation, so that the CuO thin film deposition appeared oxygen vacancies, showed n type conductive, n made of CuO film prepared belongs to the electronic conductivity, the electron transfer rate is higher, conductive well, in light of the photogenerated electrons and long life, the built-in electric field can effectively reduce the composite separation rate; heterogeneous and can be formed with P type Silicon Junction Rectifier has good characteristics, in water photolysis can be effectively used to separate carrier, improve efficiency.

【技术实现步骤摘要】
n型CuO薄膜的制备方法、反型异质结
本专利技术属于无机功能薄膜材料
，尤其涉及n型CuO薄膜的制备方法、反型异质结。
技术介绍
众所周知，在众多的可再生能源中，太阳能以其分布广泛、清洁无污染等优点，成为解决未来能源危机的理想能源。自1972年日本科学家Fujishima报道了TiO2电极光电催化分解水制氢以来，已有130多种材料被发现具有光催化分解水制氢性能。其中，CuO的禁带宽度为1.21eV～1.55eV，理论上能够吸收所有的可见光和部分不可见光，同时还具有无毒，价格低廉，稳定性好等优点，因此被广泛应用于太阳能电池、异质结器件、发光二极管及超导器件等。但是，自然界中的CuO由于含有大量的铜空位而呈现p型导电，空穴在晶体中的迁移率较低且容易被复合，因而限制了其应用和效率的提高。在反应磁控溅射制备CuO薄膜的过程中，参数对于薄膜的性能具有重要的影响。目前报道的CuO多数为p型导电，若能制备出n型导电的CuO薄膜，则有利于扩展其在光解水，二极管发光器件等领域的应用，乃至提高相应器件的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术要解决的技术问题在于提供一种n型CuO薄膜的制备方法、反型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种n型CuO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。

【技术特征摘要】
1.一种n型CuO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的温度为100℃～200℃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射前先进行预溅射，所述预溅射的功率为40～60W；所述预溅射的时间为15～20min。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的时间30～50min。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜靶材与衬底的距离为5～8cm。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述工作气体为氩气；所述工作气体的流量为25～30sccm；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨龙，谢致薇，郑之永，杨元政，陈先朝，张雅丽，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44