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本发明提供了一种n型CuO薄膜的制备方法，包括：S)将铜靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射，在衬底上沉积得到n型CuO薄膜；所述反应磁控溅射的溅射功率为40～60W。与现有技术相比，本发明通过改变溅射过程中的参数从而对所制备薄膜的...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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