一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及玻璃制造技术

本发明专利技术公开了一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤：步骤S1，在玻璃基板上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜；步骤S2，在ITO纳米膜上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。本发明专利技术具有薄膜与基片附着力强、所获的薄膜纯度高、致密性和成膜均匀性好等优势。

【技术实现步骤摘要】
一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及玻璃
本专利技术涉及镀膜工艺，尤其涉及一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及利用该工艺制备的基于WO3电致变色薄膜的玻璃。
技术介绍
目前电致变色薄膜制备方法有磁控溅射、真空蒸镀、脉冲激光沉积、溶胶-凝胶技术、化学沉积，最常用的为用金属钨靶利用直流磁控反应溅射和WO3粉末蒸发镀膜的工艺方法。现有脉冲激光沉积、溶胶-凝胶技术、化学沉积等制备的WO3阴极电致变色薄膜，都要经过退火处理后才具有电致变色性能。真空蒸镀制备的WO3阴极电致变色薄膜虽然不用后处理但效率低，膜层不均匀，附着力差，不适用批量生产。目前常用金属钨靶利用直流磁控反应溅射WO3阴极电致变色薄膜也有许多不能克服的问题，在直流磁控中频反应溅射WO3阴极电致变色薄膜制备过程中，因靶中毒而使溅射速率随着氧气流量的增加而下降，无法满足在玻璃基材表面连续稳定地沉积WO3阴极电致变色薄膜的特性需求。具体表现在：1、直流磁控反应溅射沉积WO3阴极电致变色薄膜过程中靶面的打火和中毒，靶面不可避免地会形成化合物的沉积，在反应气体分压较低的情况下，由于溅射区域接近金属态，不会形成化合物，但在靶面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤：步骤S1，在玻璃基板(1)上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜(2)；步骤S2，在ITO纳米膜(2)上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜(2)上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，该工艺基于直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线实现，包括有如下步骤：步骤S1，在玻璃基板(1)上先直流磁控溅射沉积ITO纳米膜(2)；步骤S2，在ITO纳米膜(2)上磁控溅射沉积WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)，该步骤中，直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，采用两对WO陶瓷靶材，溅射过程中由气体质量流量计控制通入溅射室内的反应气体和溅射粒子进行反应，在ITO纳米膜(2)上生成稳定的WO3阴极电致变色纳米薄膜。2.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的本底真空度为1.5E-4Pa，切连续抽真空24小时以上。3.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述直线式多箱体连续真空镀膜设备生产线的溅射室内，连续磁控溅射成膜时的工作压强2-4E-1Pa，并且在溅射室内中充入惰性气体。4.如权利要求3所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，在溅射室内充入的惰性气体为纯度99.999％的高纯氩气。5.如权利要求1所述的制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺，其特征在于，所述步骤S2中，还需向溅射室内注入反应气体O2，根据WO3阴极电致变色纳米薄膜(3)的厚要求，通过控制气体O2的流量，令溅射靶材的表面呈金属态和氧化态之间的过渡态，进而保证溅射过程中气体O2充分反应以获得WO3阴极电致变色薄膜，同时又达到预设的沉积速率。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠义，
申请(专利权)人：深圳市三鑫精美特玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44