制备透射电子显微镜样品的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备透射电子显微镜样品的方法，包括：第一步骤：针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记；第二步骤：向芯片样品射入聚焦离子束，根据标记找到特定目标所处的区域，使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置；第三步骤：倾斜样品，利用预定倾角的离子束在目标结构上切割，同时利用电子束观测目标处图形进行判断，将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置；第四步骤：将样品平面倾斜至与离子束垂直，在目标结构上方沉积金属保护层；第五步骤：利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路分析领域，更具体地说，本专利技术涉及一种制备透射电子显微镜样品的方法。
技术介绍
透射电子显微镜在包括集成电路分析在内的各个领域都有着极为广泛且越来越重要的应用，而双束聚焦离子束(FIB)制样则是半导体领域最为主要的透射电子显微镜样品制备手段。由于透射电子显微镜样品的尺寸很小，只有微米级别，为了更好地控制透射电子显微镜样品厚度，一般要求在聚焦离子束制样开始前，芯片样品的表面距离其下的分析结构约0.1～0.5微米。但是，很多芯片样品由于工艺步骤的不同，目标上方经常已经有很厚的多层材质，而造成表面距离目标结构较远，例如分析特定位置的多晶硅目标200，但是工艺步骤已做完了全部的工艺步骤，且表面很不平整，如图1所示，硅衬底200上布置有特定目标200(例如多晶硅目标)，特定目标200上面的第一金属层M1通过接触孔200连接至硅衬底100，第一金属层M1上依次布置有例如第二金属层M2、第三金属层M3和第四金属层M4，在第四金属层M4的一部分上存在铝层10。直接使用聚焦离子束进行透射电子显微镜制样很容易失败。对于这些样品，常规的方法是用研磨、化学溶液处理或反应离子刻蚀的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于包括：第一步骤：针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记；第二步骤：向芯片样品射入聚焦离子束，根据标记找到特定目标所处的区域，使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置；第三步骤：倾斜样品，利用预定倾角的离子束在目标结构上切割，同时利用电子束观测目标处图形进行判断，将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置；第四步骤：将样品平面倾斜至与离子束垂直，在目标结构上方沉积金属保护层；第五步骤：利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。

【技术特征摘要】
1.一种制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于包括：第一步骤：针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记；第二步骤：向芯片样品射入聚焦离子束，根据标记找到特定目标所处的区域，使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置；第三步骤：倾斜样品，利用预定倾角的离子束在目标结构上切割，同时利用电子束观测目标处图形进行判断，将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置；第四步骤：将样品平面倾斜至与离子束垂直，在目标结构上方沉积金属保护层；第五步骤：利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。2.根据权利要求1所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，在第一步骤用激光或离子束对样品上的需要分析...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，孙蓓瑶，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31