The present invention provides a method of preparation of TEM specimens to be observed include: providing chip, the chip includes an observation region to be observed; on the observation of the chip front and / or get them back to thinning; a hollow ring fixed on the front of the prototype, the when the observation area is located in the hollow ring; based on the prototype of dry etch thinning, by transmission electron microscope sample. Preparation method of TEM samples provided in the present invention, a hollow ring is fixed on the thinning process after the prototype, through the hollow ring of the observation area, and then through the dry etching of the thinned after them, and prepared for transmission electron microscope sample, forming large observation area area, meet the demand of case, fill failure analysis technology gaps, improve work efficiency.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及制备透射电镜样品的方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的发展，元器件的尺寸日益微缩，半导体芯片在研制、生产和使用过程中不可避免的会出现失效的情况。随着现在半导体芯片对质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助芯片设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。对于芯片中单一比特失效的分析案例，产品失效分析工程师往往需要将这个比特从芯片里切割出来制成样品并放到透射电镜(TransmissionElectronMicroscope，TEM)中去观察该样品是否结构异常。在半导体芯片的失效分析过程中，经常需要将芯片制备成样品薄片，然后用透射电镜观测分析样品薄片上的结构。现有制备样品薄片的方法主要包括两种，一种是用聚焦离子束(FocusedIonBeam，FIB)加工，另一种是用研磨并配合精密离子减薄仪(PrecisionIonPolishingSystem，PIPS)进行处理。用聚焦离子束制备的样品最多只能做到几十平方微米的面积；用研磨并配合精密离子减薄仪的方式最多只能...
【技术保护点】
一种制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述制备透射电镜样品的方法包括：提供待观测芯片，所述待观测芯片包含一待观测区域；对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄，得到初样；将一空心环固定在所述初样正面，所述待观测区域位于所述空心环内；通过干法刻蚀对所述初样进行减薄，得到透射电镜样品。
【技术特征摘要】
1.一种制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述制备透射电镜样品的方法包括：提供待观测芯片，所述待观测芯片包含一待观测区域；对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄，得到初样；将一空心环固定在所述初样正面，所述待观测区域位于所述空心环内；通过干法刻蚀对所述初样进行减薄，得到透射电镜样品。2.根据权利要求1所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，采用研磨和/或刻蚀的方式对所述待观测芯片的正面和/或背面进行减薄。3.根据权利要求1所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，通过干法刻蚀对所述初样进行减薄包括：将所述初样的正面朝上放入快速反应等离子体蚀刻机台中，使用快速去除硅工艺对所述初样进行减薄。4.根据权利要求1至3中任意一项所述制备透射电镜样品的方法，其特征在于，所述空心环内面积为1mm2～4mm2。5.根据权利要求1至3中...
【专利技术属性】
技术研发人员：高慧敏，张顺勇，汤光敏，卢勤，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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