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一种新型肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，在W方向上看，所述肖特基二极管呈分段的肖特基结与PN结结构；在L方向上看，所述肖特基二极管呈高压器件结构。本实用新型提供...
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