一种超结二极管的制作方法及超结二极管技术

本发明专利技术实施例公开了一种超结二极管的制作方法及超结二极管。本发明专利技术实施例中通过刻蚀沟槽后，注入P型离子，形成P型区域，且P型区域与硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，该介质区域位于P型区域之上，进而通过制备金属层，形成肖特基接触。本发明专利技术实施例中通过在N型外延层刻蚀沟槽并注入P型离子形成P型区域，使得该P型区域与N型外延层形成埋层超结结构。当肖特基二极管正向工作时，电流通过N型外延流向硅衬底层；反向工作时，超结结构的P型区域耗尽层展开，从而提高了肖特基二极管的耐压，减小了漏电。该制作方法的工艺较为简单，在降低器件制造成本的同时，提高了器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种超结二极管的制作方法及超结二极管。
技术介绍
随着半导体技术的发展，功率二极管逐渐成为了电路系统中的关键部件。功率二极管正朝着两个重要方向发展：(1)超大电流，可应用于高温电弧风洞、电阻焊机等场合；(2)超快、超耐用，不仅应用于整流场合，而且应用于各种开关电路。为了满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求，消费者对功率二极管的耐压性、导通电阻、开启压降、反向恢复特性、高温特性等越来越高。相对传统结型二极管而言，肖特基二极管具有较大的优势。一方面，作为多数载流子器件，肖特基二极管在开关过程中不存在传统结型二极管的少数载流子存储效应，可以达到更快的开关速度。另一方面，肖特基二极管正向压降较小，开关功耗远远小于传统结型二极管。总体而言，肖特基二极管在中低电压范围内非常适合应用于开关和整流器件领域。综上，肖特基二极管由于其低开启压降、高正向导通电流和快速反向恢复时间的优点，受到了非常广泛的应用。然而，肖特基二极管的反向势垒较低，容易发生击穿，存在耐压性差与反向漏电流大的缺点。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种超结二极管的制作方法及超结二极管，用以解决现有技术中的肖特基二极管反向漏电流大的技术问题。本专利技术实施例提供的一种超结二极管的制作方法，包括：在硅衬底层上生长N型外延层；刻蚀所述N型外延层形成沟槽；向所述沟槽内注入P型离子，形成P型区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，所述介质区域位于所述P型区域之上；制备金属层，形成肖特基接触。较佳地，所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽之前，还包括：在所述N型外延层形成掩膜层，并刻蚀所述掩膜层形成至少一个注入窗口；所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽，包括：根据所述注入窗口，刻蚀所述N型外延层形成沟槽；所述淀积介质层之前，还包括：去除所述N型外延层上的掩膜层。较佳地，所述介质区域的深度与所述沟槽的深度相同；所述制备金属层，形成肖特基接触，包括：在所述外延层表面和所述介质区域表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。较佳地，所述介质区域的深度大于所述沟槽的深度；所述制备金属层，形成肖特基接触，包括：在所述外延层表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。较佳地，所述介质区域底部与所述硅衬底层之间的距离不小于20微米。本专利技术实施例提供一种超结二极管，所述超结二极管至少包括：设置于所述硅衬底层上的N型外延层；设置于所述N型外延层内的至少一个P型区域以及位于所述P型区域上的介质区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；至少设置于所述N型外延层上的金属层。较佳地，所述金属层仅设置于所述N型外延层表面。较佳地，所述金属层设置于所述N型外延层表面和所述介质区域表面。较佳地，所述介质区域底部与所述硅衬底层之间的距离不小于20微米。较佳地，所述金属层为Ti、Pt、W、Ni、Au、Co、Pb、Ag、Al或其任意组合的合金。本专利技术实施例中通过刻蚀沟槽后，注入P型离子，形成P型区域，且P型区域与硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，该介质区域位于P型区域之上，进而通过制备金属层，形成肖特基接触。本专利技术实施例中通过在N型外延层刻蚀沟槽并注入P型离子形成P型区域，使得该P型区域与N型外延层形成埋层超结结构。P型区域通过离子注入的方式形成，与通过刻蚀沟槽填充P型外延层相比，一方面避免了刻蚀沟槽导致的PN结边界缺陷，另一方面对于P型离子浓度的控制更灵活；同时，形成的P型区域不与硅衬底层相接触，减少了反向恢复时间。在P型区域上设置的介质区域，至少位于沟槽内，可以进一步地降低肖特基二极管在反向工作时的漏电流。当肖特基二极管正向工作时，电流通过N型外延流向硅衬底层；反向工作时，超结结构的P型区域耗尽层展开，从而提高了肖特基二极管的耐压，减小了漏电。该制作方法的工艺较为简单，在降低器件制造成本的同时，提高了器件的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种超结二极管的制作方法所对应的流程示意图；图2-图7为本专利技术实施例提供的超结二极管制作过程中的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术实施例提供的一种超结二极管的制作方法所对应的流程示意图，该方法包括：步骤101，在硅衬底层上生长N型外延层；步骤102，刻蚀所述N型外延层形成沟槽；步骤103，向所述沟槽内注入P型离子，形成P型区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；步骤104，淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，所述介质区域位于所述P型区域之上；步骤105，制备金属层，形成肖特基接触。在本实施例中，硅衬底层为N型衬底层。较佳地，在步骤102，刻蚀所述N型外延层形成沟槽，可以通过以下工艺实现：在所述N型外延层形成掩膜层，并刻蚀所述掩膜层形成至少一个注入窗口；根据所述注入窗口，刻蚀所述N型外延层形成沟槽；在步骤104之前，去除所述N型外延层上的掩膜层。通过上述工艺过程，可以保证在进行P型离子注入时，掩膜层作为保护层阻挡沟槽以外的区域被注入P型离子，保证器件性能且节省工艺。较佳地，在步骤104中形成的介质区域的深度与所述沟槽的深度相同；在所述外延层表面和所述介质区域表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。沟槽侧壁有介质材料的保护，能够减少刻蚀沟槽时形
成的缺陷，进而降低器件的漏电流。较佳地，在步骤104中形成的介质区域的深度大于所述沟槽的深度；在所述外延层表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。沟槽侧壁有介质材料的保护，能够减少刻蚀沟槽时形成的缺陷，进而降低器件的漏电流，且仅需在所述外延才呢过表面制备金属层，降低了器件成本。较佳地，所述介质区域底部与所述硅衬底层之间的距离不小于20微米。本专利技术实施例中通过刻蚀沟槽后，注入P型离子，形成P型区域，且P型区域与硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，该介质区域位于P型区域之上，进而通过制备金属层，形成肖特基接触。本专利技术实施例中通过在N型外延层刻蚀沟槽并注入P型离子形成P型区域，使得该P型区域与N型外延层形成埋层超结结构。当肖特基二极管正向工作时，电流通过N型外延流向硅衬底层；反向工作时，超结结构的P型区域耗尽层展开，从而提高了肖特基二极管的耐压，减小了漏电。该制作方法的工艺较为简单，在降低器件制造成本的同时，提高了器件的性能。为了更清楚地理解本专利技术，下面结合具体实施例进行详细说明。如图2所示，在硅衬底层201上生长N型外延层202；在N型外延层202上形成掩膜层203，所述掩膜层203为光刻胶，通过光罩板刻蚀掩膜层203形成至少一个注入窗口204。如图3所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超结二极管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底层上生长N型外延层；刻蚀所述N型外延层形成沟槽；向所述沟槽内注入P型离子，形成P型区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，所述介质区域位于所述P型区域之上；制备金属层，形成肖特基接触。

【技术特征摘要】
1.一种超结二极管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底层上生长N型外延层；刻蚀所述N型外延层形成沟槽；向所述沟槽内注入P型离子，形成P型区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，所述介质区域位于所述P型区域之上；制备金属层，形成肖特基接触。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽之前，还包括：在所述N型外延层形成掩膜层，并刻蚀所述掩膜层形成至少一个注入窗口；所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽，包括：根据所述注入窗口，刻蚀所述N型外延层形成沟槽；所述淀积介质层之前，还包括：去除所述N型外延层上的掩膜层。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质区域的深度与所述沟槽的深度相同；所述制备金属层，形成肖特基接触，包括：在所述外延层表面和所述介质区域表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质区域的深度大于所述沟槽的深度；所述制备金属层，形成肖...

【专利技术属性】
技术研发人员：李理，马万里，赵圣哲，姜春亮，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11