芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法。在芯片压降的测试方法中，通过获取点对点的电阻数值(包括外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻、以及多个功能模块两两之间的第二等效电阻)，以及各功能模块的功耗电流数值，形成电阻特性矩阵Mii和功耗电流的列矩阵Ni，并由Mii乘Ni获取芯片压降值，上述方法可准确、便捷且快速地获取芯片中各功能模块的压降值，快速地反应芯片各部分的压降值信息，从而客观地获取芯片上各部分的压降值分布数据，进而为后续芯片结构改进提供准确而快速的信息，以提高芯片制造整体的进度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法。
技术介绍
集成电路全芯片中的所有器件都是通过电源网格得到其所需的供电电压的，在电流传输过程中，由于电源网格材料的电阻的存在，电流流经电源网络时会电源网格会消耗电能从而给各个器件造成压降，称之为IRdrop，即降低各器件所接收的电压。各器件的IRdrop会降低器件的开关速度和噪声容限，甚至导致逻辑错误。随着超大规模集成电路芯片的集成度和工作频率的不断提升，压降给芯片的运行造成的影响越来越大，为此，如何测试芯片的压降，从而对芯片进行改进变得越来越重要。现有的芯片的压降检测通常使用商业工具(CommercialTools)来检测全芯片，从而获取全芯片的IRdrop信息。但是，现有的芯片的压降检测方法过程繁琐、周期长，费时费力，芯片的IRdrop信息反馈慢，从而影响芯片改进进度。为此，如何改进芯片压降的检测方法，简化芯片的压降检测工序，以提高芯片IRdrop信息反馈速度是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术技术方案所解决的技术问题是，提供一种芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法，以简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片压降的测试方法，所述芯片包括衬底、位于衬底上的多个功能模块以及用于连接各功能模块的互连线层；所述功能模块通过所述互连线层连接外部电压输入端；且各功能模块通过互连线层电连接在一起；其特征在于，所述芯片压降的测试方法包括：获取所述外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻；获取多个功能模块两两之间的第二等效电阻；基于所述第一等效电阻和第二等效电阻建立所述芯片的电阻特性矩阵Mii，i为芯片中功能模块的个数，其中第n行的元素为包括Rnm和Rnn，其中Rnm为第m个功能模块对第n个功能模块的电阻影响数值，Rnn为第n个功能模块的第一等效电阻；所述Rnm＝(Rnn+Rmm+rnm)/2‑rnm，...

【技术特征摘要】
1.一种芯片压降的测试方法，所述芯片包括衬底、位于衬底上的多个功能模块以及用于连接各功能模块的互连线层；所述功能模块通过所述互连线层连接外部电压输入端；且各功能模块通过互连线层电连接在一起；其特征在于，所述芯片压降的测试方法包括：获取所述外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻；获取多个功能模块两两之间的第二等效电阻；基于所述第一等效电阻和第二等效电阻建立所述芯片的电阻特性矩阵Mii，i为芯片中功能模块的个数，其中第n行的元素为包括Rnm和Rnn，其中Rnm为第m个功能模块对第n个功能模块的电阻影响数值，Rnn为第n个功能模块的第一等效电阻；所述Rnm＝(Rnn+Rmm+rnm)/2-rnm，其中rnm为第n个功能模块与第m个功能模块之间的第二等效电阻；建立各功能模块的功耗电流的列矩阵Ni，第n行的元素为第n个功能模块的功耗电流数值In；以所述电阻特性矩阵Mii乘所述列矩阵Ni，获得各功能模块对应的压降值。2.如权利要求1所述的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述外部电压输入端包括多个外部电压管脚，所述多个功能模块同时连接多个所述外部电压管脚。3.如权利要求1的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述外部电压输入端为电源电压输入端，所述功能模块包括电源电压端口；所述功能模块通过互连线层连接外部电压输入端包括：所述功能模块的电源电压端口通过所述互连线层连接所述电源电压输入端；各功能模块通过互连线层电连接在一起包括：各功能模块的电源电压端口通过所述互连线层连接在一起；所述功能模块还包括接地电压端口，所述功能模块的接地电压端口通过
\t所述互连线层连接外部的接地电压输入端。4.如权利要求1的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述外部电压输入端为接地电压输入端，所述功能模块包括接地电压端口；所述功能模块通过互连线层连接外部电压输入端包括：所述功能模块的接地电压端口通过所述互连线层连接所述接地电压输入端；各功能模块通过互连线层电连接在一起包括：各功能模块的接地电压端口通过所述互连线层连接在一起；所述功能模块还包括电源电压端口，所述功能模块的电源电压端口通过所述互连线层连接外部的电源电压输入端。5.如权利要求4的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述互连线层包括用于连接各个所述功能模块的电源电压端口和电源电压输入端的电源互连线层，以及用于连接各个所述功能模块的接地电压端口和接地电压输入端的接地互连线层；各功能模块通过互连线层电连接在一起包括：各功能模块的接地电压端口通过所述接地互连线层连接在一起，且通过接地互连线层连接同一接地电压输入端；所述电源互连线层包括多条互不连接的电源互连线，且所述多条互不连接的电源互连线分别连接外部不同的电源电压输入端；所述多个功能模块的接地电压端口通过所述多条互不连接的电源互连线层连接不同的电源电压输入端。6.如权利要求1的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述互连线层为包括多层互连线的多层结构。7.如权利要求1的芯片压降的测试方法，其特征在于，所述芯片还包括安装在所述互连线层上的电源开关，所述电源开关位于所述功能模块和外部电压输入端之间；获取所述外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻的步骤包括：同时获取所述电源开关导通后的等效电阻，所述第一等效电阻包括外部电压
\t输入端与各功能模块之间的互连线层的等效电阻和电源开关的等效电阻。8.一种芯片改进方法，其特征在于，通过如权利要求1～7所述的芯片压降的测试方法获取各功能模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱澄宇，林松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31