用于发光二极管的发光材料制造技术

本发明专利技术涉及用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，本发明专利技术中的铂(II)络合物具有高发光量子效率，良好的热稳应性及低猝灭常数，可以制造高效率并低效率衰减的红光OLED。

【技术实现步骤摘要】
用于发光二极管的发光材料
本专利技术涉及一种发光材料，特别是涉及一种新型铂(II)络合物发光材料及其在有机发光二极管(OLED)中的用途。
技术介绍
在上世纪八十年代，C.W.Tang公开了双层结构OLED(有机发光器件)(美国专利No.4,356,429；Appl.Phys.Lett.1987,51,12,913)。这种发现基于使用包括发光电子传输层(emissiveelectron-transportinglayer)和合适的有机材料的空穴传输层的多层结构。选择Alq3(q:脱质子8-羟基哇琳基)作为发光电子传输材料。从那时起，持续研究OLED中使用的材料OLED提供几个优点，包括：(1)低工作电压，(2)薄整体结构，(3)发射光而非调制光，(4)良好的发光效率，(5)全色潜力；和(的高对比和分辨率.这些优点表明OLED可能用在平板显示器中。对有机小分子进行研究以改进OLED的性能。通常，使用磷光材料作为OLED的发光层中的光发射体，而在不同的磷光材料之中，带铱和带铂的络合物是主流材料。因为带铱材料有着八面体的几何配置，由带铱材料制备的OLED，除了有高效能之外，一般也不会有极大的效率衰减。相对而言，带铂的材料有着平面的几何配置，所以由带铱材料制备的OLED，虽然也可以有高效能，但却同时有极大的效率衰减，换言之这些器件只能在极低亮度的情况之下得到高效能，而在正常运作的亮度例如1000cdm-2之下，器件的效能一般也会降至十分低的水平。例如，我们在2007年开发了一类带铂的磷光材料，由这些材料制备的器件可以得到高达51.8cdA-1的效能，但是这些器件的效能急速地下跌至低于最高效能的百分之五十(Appl.Phys.Lett.91,2007,063508)。这也是导致现在只有带铱材料能够用在OLED商品上应用的一个主要原因。一般来说，材料具有高猝灭常数(在108dm3mol-1s-1以上)会导致严重的三重态-三重态湮灭而产生快速效率衰减。除了效率衰减之外，高猝灭常数还会使带铂的材料制备的器件只能在十分窄的掺杂窗口运作。换言之，高效能及高色纯度的器件只能在一个很小的掺杂范围(例如1％-2％)达到。这也是带铂材料未能被工业界接纳的原因。为了解决这问题，不同的学者提出了不同的方案并制备出了不同的材料。在2010年我们加了大基团，Huo加了非平面基，在2012年，Xie加了非平面基到带铂材料中(Chem.Eur.J.2010,16,233-247；Inorg.Chem.2010,49,5107–5119；Chem.Commun.2012,48,3854-3856)。但是这问题并没有得到明显的改善，制备出来的器件还是有着高于50％的效率衰减。这证明了加入大基团及非平面基并不是通常可行的方法去解决这问题。
技术实现思路
针对上述领域中的缺陷，本专利技术提供一种新型铂(II)络合物发光材料，其具有低猝灭常数，可以制造高效率并低效率衰减的红光OLED。本专利技术还提供还发光材料的制备方法。本专利技术还提供该发光材料制备的发光器件。用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基，R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-8元环。其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、烷氧基、氨基、硝基、氰基、羧基、R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-6元环。其中R3-8、R17-22独立地为氢。其中R1、R11、R16、R24独立地为氢，R2、R23、R9-10、R25-26独立的为氢、C1-C6烷基。其中R12-15独立的为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成5-6元芳环。其中R13、R14独立的为氢、卤素、C1-C4烷基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成苯环。其中R12、R15独立的为氢、C1-C6烷基。具有结构I的化学结构的有机金属络合物被称作环金属化络合物，结构I中的铂中心为+2氧化态并具有正方形平面几何形状。该铂中心的配位点被一个四齿配体.，四齿配体通过两个氮给体键和两个氧给体键键配位到铂中心上，为了达到发红光的需求，四齿配体的基本结构为希夫碱。在背景资料`中提及到由于带有希夫碱的铂络合物都具有高猝灭常数，用他们制备的器件都有高效率衰减，就算加入大基团也不能改善这问题。在本专利技术中，附在酚的双环是其中一个重点，能有效地减低猝灭常数。通过结构I，我们把这两个方法连在一起并得到了用其他基团得不到的效果。在这专利技术中，结构I中的中心部分(下列图中,粗线部分)是使材料有着发红光并有低猝灭常数的原因：而在结构I中,其他基团(R1-R26)并不会严重的影响材料的发光性质及猝灭常数，所以他们可以是独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基。各个R1-R26可独立地与邻近的R基团形成5-8元环。为了本申请的目的，除非另有指明，术语卤素、烷基、环烷基、芳基、酰基、烷氧基和杂环芳族体系或杂环芳族基团可有以下含义:本文所用的卤素或卤代包括氟、氯、溴和碘，优选F，Cl，Br，特别优选F或Cl，最优选F。如本文所用的芳基、芳基部分或芳族体系包括具有6-30个碳原子，优选6-20个碳原子，更优选6-8个碳原子并且由一个芳环或多个稠合的芳环组成的芳基。适宜的芳基为，例如苯基，萘基,苊基(acenaphthenyl)、二氢苊基(acenaphthylenyl)，蒽基、芴基、菲基(phenalenyl)。该芳基可为未取代的(即所有能够取代的碳原子带有氢原子)或在芳基的一个、多于一个或所有可取代的位置上被取代。适宜的取代基为例如卤素，优选F、Br或Cl；烷基，优选具有1-20个，1-10个或1-8个碳原子的烷基，特别优选甲基、乙基、异-丙基或叔-丁基；芳基，优选可再次被取代的或是未取代的C6-芳基或芴基；杂芳基，优选含至少一个氮原子的杂芳基，特别优选吡啶基，烯基是适宜的取代基，优选具有一个双键的烯基，特别优选具有双键和1-8个碳原子的烯基。芳基尤其特别优选带有选自F和叔-丁基的取代基，优选可为给定的芳基或任选被至少一个上述取代基取代的为C6-芳基的芳基，C6-芳基特别优选带有0、1或2个上述取代基，C6-芳基尤其特别优选未取代的苯基或取代的苯基，诸如联苯基、被两个叔丁基优选在间位取代的苯基。如本文所用的芳基或芳基部分优选为苯基，其可为未取代的或被上述取代基，优选卤素、烷基或芳基取代。本文使用的烷基或烷基部分包括具有1-20个碳原子，优选1-10个碳原子，特别优1-6个碳原子的烷基。该烷基可为支链或是直链的，并且可被一个或多个杂原子,优选N、O或S间断。而且，该烷基可被一个或多个提及的关于芳基的取代基取代。同样，对于烷基而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，其中R1‑R26独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基，R1‑R26可独立地与邻近其它的R1‑R26基团形成5‑8元环。

【技术特征摘要】
1.用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、芳氧基羰基或烷氧基羰基，R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-8元环。2.根据权利要求1所述的发光材料，其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、烷氧基、氨基、硝基、氰基、羧基、R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-6元环。3.根据权利要求2所述的发光材料，其中R3-8、R17-22独立地为氢。4.根据权利要求3所述的发光材料，其中R1、R11、R16、R24独立地为氢，R2、R23、R9-10、R25-26独立的为氢、C1-C6烷基。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：支志明，蔡丽菲，
申请(专利权)人：广东阿格蕾雅光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44