System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种化合物及有机电致发光器件制造技术_技高网

一种化合物及有机电致发光器件制造技术

技术编号:40579623 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-06 17:22
本发明专利技术属于有机电致发光技术领域,公开了一种化合物及有机电致发光器件。该化合物的结构通式如式(1)所示:式(1),其中,环A选自以下式(2)或式(3);式(2)、式(3),X<subgt;1</subgt;‑X<subgt;12</subgt;分别独立地选自为CR<subgt;0</subgt;或N,X选自NR<subgt;a</subgt;、CR<subgt;b</subgt;R<subgt;c</subgt;或氧族元素。该化合物具有光、电稳定性高,升华温度低,驱动电压低,发光效率高,器件寿命长等优点,可作为主体材料用于OLED发光器件中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机电致发光,特别涉及一种化合物及有机电致发光器件


技术介绍

1、目前,作为新一代显示技术的有机电致发光器件(oled)在显示和照明技术方面都获得了越来越多的关注,应用前景十分广泛。但是,和市场应用要求相比,oled器件的发光效率、驱动电压、使用寿命等性能还需要继续改进。

2、一般来说,oled器件基本结构为在金属电极中间夹杂各种不同功能的有机功能材料薄膜,犹如一个三明治的结构,在电流的驱动下,从阴阳两极分别注入空穴和电子,空穴和电子在移动一段距离后,在发光层得到复合,并以光或热的形式进行释放,从而达到发光效果。然而,磷光oled的性质不仅由所使用的三重态发光体所决定。还包括其他类型材料,例如主体材料,也是相当重要。主体材料对于降低器件的驱动电压,提高器件的发光效率,提高器件的使用寿命等,具有显著的作用。因此,有必要继续研发新型的主体材料,以进一步提高有机电致发光器件的性能。

3、现有技术的具有二苯并呋喃并苯基芴连接二芳胺的主体材料,并搭配三嗪化合物作为红光共主体材料使用。该类材料的器件效率还有待进一步提升;现有技术的菲并噁唑结构单元连接二芳胺的主体材料,该类材料的平面性较强,蒸镀温度较高,器件效率和寿命也有待改善。现有技术的类似结构的菲并苯并呋喃结构单元连接二芳胺材料。这类材料作为双主体材料使用的器件性能也有待进一步提升,特别是器件寿命,有待进一步提升。

4、因此,亟需提供一种新的化合物,用于解决发光器件所存在的上述问题。


技术实现思路p>

1、本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种化合物及有机电致发光器件。

2、本专利技术的第一方面提供一种化合物。

3、在一些实施方式中,一种化合物,其结构通式如式(1)所示:

4、式(1),

5、其中,环a选自以下式(2)或式(3);

6、;

7、其中,x1-x12分别独立地选自为cr0或n;且x1-x4、x5-x6、x7-x8、x9-x12中有两个相邻位点与式(1)中含x的5元环稠合;

8、r0选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、c1-c40的烷基、c1-c40的杂烷基、c2-c40的烯基、c2-c40的炔基、c3-c40的环烷基、c3-c40杂环烷基、c6-c60的芳基、c3-c60杂芳基、c1-c40的烷氧基、c6-c60的芳氧基、c3-c40的烷基甲硅烷基、c6-c60的芳基甲硅烷基、c1-c40的烷基硼基、c6-c60的芳基硼基、c6-c60的芳基磷基、c6-c60的单芳基膦基、c6-c60的二芳基膦基或c6-c60的芳基胺基;相邻的两个r0可连接成并环;

9、式(1)中x选自nra、crbrc或氧族元素;

10、ra、rb、rc分别独立地选自c1-c30的烷基、c1-c30的杂烷基、c3-c30的环烷基、c3-c30杂环烷基、c6-c30的芳基、c3-c30杂芳基、c3-c30的烷基甲硅烷基、c6-c30的芳基甲硅烷基;

11、l选自单键、取代或未取代c6-c60的亚芳基或取代或未取代c3-c60的亚杂芳基;

12、ar1和ar2分别独立地选自取代或未取代的c6-c36芳基、取代或未取代的c2-c36杂芳基;

13、所述取代为被氘、卤素、氰基、异氰基、膦基、c1-c6烷基、c3-c16环烷基、c1-c6烷基取代的胺基、c1-c6烃基取代或未取代的c6-c30芳基、c1-c6烃基取代或未取代的c3-c30杂芳基中的至少一个所取代,其中取代数目为单取代到最大数目取代。

14、在一些实施方式中,r0选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、c1-c30的烷基、c1-c30的杂烷基、c2-c30的烯基、c2-c30的炔基、c3-c30的环烷基、c3-c30杂环烷基、c6-c30的芳基、c3-c30杂芳基、c1-c30的烷氧基、c6-c30的芳氧基、c3-c30的烷基甲硅烷基、c6-c30的芳基甲硅烷基、c1-c30的烷基硼基、c6-c30的芳基硼基、c6-c30的芳基磷基、c6-c30的单芳基膦基、c6-c30的二芳基膦基或c6-c30的芳基胺基。

15、在一些实施方式中,r0选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、c1-c20的烷基、c1-c20的杂烷基、c2-c20的烯基、c2-c20的炔基、c3-c20的环烷基、c3-c20杂环烷基、c6-c20的芳基、c3-c20杂芳基、c1-c20的烷氧基、c6-c20的芳氧基、c3-c20的烷基甲硅烷基、c6-c20的芳基甲硅烷基、c1-c20的烷基硼基、c6-c20的芳基硼基、c6-c20的芳基磷基、c6-c20的单芳基膦基、c6-c20的二芳基膦基或c6-c20的芳基胺基。

16、在一些实施方式中,所述r0选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、c1-c10的烷基、c1-c10的杂烷基、c2-c10的烯基、c2-c10的炔基、c3-c10的环烷基、c3-c10杂环烷基、c6-c12的芳基、c3-c12杂芳基。

17、在本专利技术的一些实施方式中,相邻的r0是指位于相邻碳原子上的r0。

18、在本专利技术的一些实施方式中,所述取代为被氘、卤素、氰基、异氰基、膦基、c1-c6烷基、c3-c12环烷基、c1-c6烷基取代的胺基、c6-c18芳基或c3-c18杂芳基中的至少一个所取代,其中取代数目为单取代到最大数目取代。

19、在本专利技术的一些实施方式中,所述取代为被氘、卤素、氰基、异氰基、膦基、c1-c6烷基、c3-c10环烷基、c1-c6烷基取代的胺基、c6-c12芳基或c3-c12杂芳基中的至少一个所取代,其中取代数目为单取代到最大数目取代。

20、在一些实施方式中,所述氧族元素选自o、s或se。

21、在一些实施方式中,所述ra、rb、rc分别独立地选自c1-c20的烷基、c1-c20的杂烷基、c3-c20的环烷基、c3-c20杂环烷基、c6-c20的芳基、c5-c20杂芳基、c3-c20的烷基甲硅烷基、c6-c20的芳基甲硅烷基。

22、在一些实施方式中,所述ar1和ar2分别独立地选自取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30杂芳基。

23、在一些实施方式中,所述杂芳基、杂烷基或杂环烷基中的杂原子独立选自o、s、n、se、si、ge中的至少一种。

24、在一些实施方式中,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(a-1)至式(a-8)所示的结构:

25、;

26、其中,*表示与式(1)中含x的5元环稠合的位点;

27、其中a为0-10的整数;若a≥2或更大的整数,则每个r0可相同或不同,且相邻的r0可连接形成并环。

28、在一些实施方式中,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(a-9)至式(a-16)所示的结构:

29、;

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化合物,其特征在于,其结构通式如式(1)所示:

2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述Ra、Rb、Rc分别独立地选自C1-C20的烷基、C1-C20的杂烷基、C3-C20的环烷基、C3-C20杂环烷基、C6-C20的芳基、C5-C20杂芳基、C3-C20的烷基甲硅烷基、C6-C20的芳基甲硅烷基;和/或,所述Ar1和Ar2分别独立地选自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基。

3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述杂芳基、杂烷基或杂环烷基中的杂原子独立选自O、S、N、Se、Si、Ge中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(A-1)至式(A-8)所示的结构:

5.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(A-9)至式(A-16)所示的结构:

6.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述L为取代或未取代C6-C20的亚芳基或取代或未取代C3-C60亚杂芳基;和/或,

7.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述Ar1和Ar2各自独立选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的9,9-二甲基芴基、取代或未取代的9,9-二苯基芴基、取代或未取代的9,9-螺二芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的䓛基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并三氮唑基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的萘并噁唑基、取代或未取代苯并环烷基、取代或未取代的菲并噁唑基、氧杂螺芴基、取代或未取代的苯并咔唑基或上述至少两者的结合。

8.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述化合物为以下结构式之一,或者以下结构式中氢被氘、氟部分或完全取代的结构:

9.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的化合物。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,包括发光层,所述发光层包括权利要求1-8任一项所述的化合物。

...

【技术特征摘要】

1.一种化合物,其特征在于,其结构通式如式(1)所示:

2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述ra、rb、rc分别独立地选自c1-c20的烷基、c1-c20的杂烷基、c3-c20的环烷基、c3-c20杂环烷基、c6-c20的芳基、c5-c20杂芳基、c3-c20的烷基甲硅烷基、c6-c20的芳基甲硅烷基;和/或,所述ar1和ar2分别独立地选自取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c2-c30杂芳基。

3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述杂芳基、杂烷基或杂环烷基中的杂原子独立选自o、s、n、se、si、ge中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(a-1)至式(a-8)所示的结构:

5.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述式(2)和式(3)所示的结构选自以下式(a-9)至式(a-16)所示的结构:

6.根据权利要求1-3任一项所述的化合物,其特征在于,所述l为取代或未取代c6-c20的亚芳基或取代或未取代c3-c60亚杂芳基;和/或,

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈少福王煦戴雷蔡丽菲
申请(专利权)人:广东阿格蕾雅光电材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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