覆晶式的发光二极管制造技术

一种覆晶式的发光二极管，包括一透明基板，其上至少设置有一第一电性半导体层、一发光层、一第二电性半导体层、至少一第一欧姆导电部、一第二欧姆导电部及第三欧姆导电部，其中该至少一第一欧姆导电部通过一连接通道而与第三欧姆导电部得以电性连接，且于第二电性半导体层上方以形成一第一电极区，而该第二欧姆导电部则设于相邻于所述各第一欧姆导电部的一侧的透明基板上方，其上方形成一第二电极区。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种可有效降低发光二极管操作电压，提高流明/瓦，且可维持高的发光效率的高亮度、高功率的覆晶式的发光二极管。
技术介绍
近年来，已开发出以氮化物、磷化物为材料的高亮度发光二极管，其不仅可发出红、蓝、绿光，且可用以产生各色光与白光。—般传统的发光二极管，直接制作发光二极管嘉晶结构于基材上，且将阴极电极与阳极电极分别制作于发光二极管磊晶结构侧与基材侧，如此的结构，虽具有较佳的电流分布效果，却因发光层距离封装基座较远、热传导阻抗较大，而使发光二极管的操作温度不易下降，阻碍了发光二极管往更大功率操作的可能！因此，近几年则逐渐发展覆晶式(flipchip)的发光二极管。覆晶式的发光二极管，使发光二极管磊晶结构中的p型半导体层与n型半导体层，暴露于发光二极管磊晶结构的同一侧，以能将阴、阳极电极制作于发光二极管磊晶结构的同一侧上，因而，可采用覆晶方式封装，以直接将设置有阴、阳极电极的发光二极管覆置于一封装焊料上。如此，能免除采用传统金属拉线的需求，进而有效缩小封装面积，同时由于发光层更接近封装基座，发光二极管的热阻因此下降，而使发光二极管的可靠性大幅提升!然而，覆晶式的发光二极管，虽然具有封装上的优势，却因发光二极管磊晶结构中的P型半导体层与n型半导体层，暴露于发光二极管磊晶结构的同一侧，加上半导体材料层的导电性较差，而使电流无法有效且均匀地从接点分散出去，发光二极管内部会发生部分区域电流密度过高的情况，因而影响整体亮度，降低使用寿命，进而影响发光二极管的发光效率。
技术实现思路
本技术的主要目的在提供一种可有效降低发光二极管操作电压，提高流明/瓦，且可维持高的发光效率的高亮度、高功率的覆晶式的发光二极管。为达上述的目的，本技术所设的一种覆晶式的发光二极管，其包括一个透明基板；一个第一电性半导体层，形成于该透明基板上；一个发光层，形成于该第一电性半导体层上；一个第二电性半导体层，形成于该发光层上；至少一个第一欧姆导电部，形成于该第二电性半导体层上，而该第二电性半导体层下另设有至少一个第三欧姆导电部，且该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部之间设有至少一个连接通道，使该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部得以电性连接，且该第一欧姆导电部上方形成第一电极区；以及一个第二欧姆导电部，形成于透明基板上，并相邻于该第一欧姆导电部，且该第二欧姆导电部上方形成第二电极区。优选的，该透明基板上还设有透明黏着层。优选的，该透明黏着层上还设有透明导电层。优选的，该透明基板为可导电的材质。优选的，该第二电性半导体层上的第一欧姆导电部的总面积大于第二电性半导体层下的第三欧姆导电部的总面积。优选的，该第二电性半导体层下的第三欧姆导电部被绝缘层所覆盖，以与该第一电性半导体层隔离。优选的，该第一电性半导体层为P型，第二电性半导体层为N型。优选的，该第一电性半导体层为N型，第二电性半导体层为P型。 优选的，该透明基板具有凹凸不平的表面。优选的，该第一电性半导体层与透明基板的接触面为凹凸不平的表面。优选的，该第二电性半导体层的上表面为图形化的表面，以利形成表面电浆。为达上述的目的，本技术所设的另一种覆晶式的发光二极管，其包括一个透明基板；一个第一电性半导体层，形成于该透明基板上，该第一电性半导体层设有相邻的第一表面与第二表面；—个发光层，形成于上述该第一电性半导体层的第一表面上；—个第二电性半导体层，形成于该上述的发光层上，该第二电性半导体层上形成第一电极区；至少各一组第一欧姆导电部，分别形成于位于该第一表面与第二表面下方的第一电性半导体层与透明基板之间，而该第一电性半导体层上另设有至少一个第三欧姆导电部，且该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部之间设有至少一个连接通道，使该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部得以电性连接，且在该第二表面上方形成第二电极区。优选的，该第一电性半导体层与该透明基板之间设有透明导电层，使该第一欧姆导电部设于该透明导电层上。 优选的，该透明基板与透明导电层间还设有透明黏着层。优选的，该第一表面上方的第三欧姆导电部被绝缘层所覆盖，以与该第二电性半导体层隔离。优选的，该第一电性半导体层为P型，第二电性半导体层为N型。优选的，该第一电性半导体层为N型，第二电性半导体层为P型。优选的，该第二电性半导体层的上表面为图形化的表面，以利形成表面电浆。本技术第二电性半导体层上的所有第一欧姆导电部借由连接通道而与所有第三欧姆导电部电性连接后，等于欧姆导电面积大幅增加，使得发光二极管的操作电压可以大幅下降，因此降低发光二极管的欧姆电损，增加发光二极管的发光效率(流明/瓦)，同时发光二极管的工作温度也可以下降，进而容许此发光二极管可以操作在更高功率，而使此发光元件成本(费用/流明)下降。附图说明图1为本技术实施例发光二极管结构的剖面示意图。图2为本技术实施例接合于一封装承座后的剖面示意图。图3为本技术另一实施例发光二极管结构的剖面示意图。图4为本技术另一实施例接合于一封装承座后的剖面示意图。主要元件符号说明1:透明基板11 :透明导电层111 :第一表面112 :第二表面12:透明黏着层2:第一电性半导体层21 :第一表面22 :第二表面3:发光层4:第一欧姆导电部41:连接通道5:第二电性半导体层6:第二欧姆导电部6a:金属连接层61:连接通道7:第三欧姆导电部71 :绝缘层8 :反射层9:阻障层X :第一电极区Y :第二电极区a:封装承座b:导电迹线c :中介层。具体实施方式请参阅图1，图式内容为本技术覆晶式的发光二极管的一第一实施例，其由一透明基板1、一第一电性半导体层2、一发光层3、数个第一欧姆导电部(ohmic contact) 4、一第二电性半导体层5及一第二欧姆导电部6所组成。该透明基板I可为一蓝宝石基板(Sapphire Substrate)玻璃、砷化镓、磷化镓、氮化镓或碳化硅其中一种，该第一电性半导体层2形成于该透明基板I上，该第一电性半导体层2与透明基板I之间更设有一透明导电层11，该透明导电层11可为IT0、Zn0及其组合。该透明导电层11与透明基板I之间更设有一透明黏着层12，该透明黏着层12选用于由热固性树脂苯并环丁烯(BCB)树脂、聚酰胺(PI)、氟环丁烷(PFCB)、氧化铟锡(ITO)及其组合。其中该透明导电层11上形成有第一表面111与第二表面112,该第一电性半导体层2设于该透明基板I上透明导电层11上的第一表面111上，该发光层3形成于该第一电性半导体层2上，该发光层3的材料选自于由AlGalnN、AlGaInP, GaAs, InGaAs, InP及AlGaAs所构成的族群中至少一者。该第二电性半导体层5形成于该发光层3上，该数个第一欧姆导电部4形成于该第二电性半导体层5上，而该第二电性半导体层5下另设有至少一第三欧姆导电部7，该第二电性半导体层5上的第一欧姆导电部4的总面积可大于第二电性半导体层5下的第三欧姆导电部7的总面积，且该第一欧姆导电部4与第三欧姆导电部7之间至少设有一个连接通道41，使该所有第一欧姆导电部4与所有第三欧姆导电部7得以电性连接，且该第二电性半导体层5下的第三欧姆导电部7被一绝缘层71所覆盖，以与该第一电性半导体层2隔离。又，该第一欧姆导电部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶式的发光二极管，其特征在于，包括：一个透明基板；一个第一电性半导体层，形成于该透明基板上；一个发光层，形成于该第一电性半导体层上；一个第二电性半导体层，形成于该发光层上；至少一个第一欧姆导电部，形成于该第二电性半导体层上，而该第二电性半导体层下另设有至少一个第三欧姆导电部，且该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部之间设有至少一个连接通道，使该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部得以电性连接，且该第一欧姆导电部上方形成第一电极区；以及一个第二欧姆导电部，形成于透明基板上，并相邻于该第一欧姆导电部，且该第二欧姆导电部上方形成第二电极区。

【技术特征摘要】
2011.10.28 TW 1002203301.一种覆晶式的发光二极管，其特征在于，包括一个透明基板；一个第一电性半导体层，形成于该透明基板上；一个发光层，形成于该第一电性半导体层上；一个第二电性半导体层，形成于该发光层上；至少一个第一欧姆导电部，形成于该第二电性半导体层上，而该第二电性半导体层下另设有至少一个第三欧姆导电部，且该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部之间设有至少一个连接通道，使该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部得以电性连接，且该第一欧姆导电部上方形成第一电极区；以及一个第二欧姆导电部，形成于透明基板上，并相邻于该第一欧姆导电部，且该第二欧姆导电部上方形成第二电极区。2.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该透明基板上还设有透明黏着层。3.如权利要求2所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该透明黏着层上还设有透明导电层。4.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该透明基板为可导电的材质。5.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该第二电性半导体层上的第一欧姆导电部的总面积大于第二电性半导体层下的第三欧姆导电部的总面积。6.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该第二电性半导体层下的第三欧姆导电部被绝缘层所覆盖，以与该第一电性半导体层隔离。7.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该第一电性半导体层为P 型，第二电性半导体层为N型。8.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该第一电性半导体层为N 型，第二电性半导体层为P型。9.如权利要求1所述的覆晶式的发光二极管，其特征在于，该透明基板具有凹凸不平的表面。10.如权利要求1所述的覆晶式的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜全成，
申请(专利权)人：荣昱顾问有限公司，
类型：实用新型
国别省市：