发光器件及包括该发光器件的发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件及包括该发光器件的发光器件封装。公开了一种发光器件。所公开的发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。该第一导电类型半导体层、该有源层和该第二导电类型半导体层被设置为在相同方向上彼此邻近。该有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层。该阱层具有比该势垒层小的能带隙。该发光器件进一步包括设置在第一导电类型半导体层中的掩模层、设置在第一导电类型半导体层上的第一电极和设置在第二导电类型半导体层上的第二电极。该第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及包括该发光器件的发光器件封装相关技术的交叉引用本申请要求于2011年9月5日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2011-0089492的优先权，该韩国专利申请通过引用方式全部并入本申请中。
本专利技术涉及一种发光器件以及包括该发光器件的发光器件封装。
技术介绍
使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)，依靠薄膜生长技术和器件材料的发展的优点可以呈现出诸如红、绿、蓝和紫外的各种颜色。也可以用荧光材料或者通过颜色混合高效地产生白光。此外，与诸如荧光灯和白炽灯的常规光源相比，这些发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全以及环保等优点。因此，这些发光元件越来越多地被应用于光通信单元的传输模块、作为构成液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代品的发光二极管背光、使用白光发光二极管作为荧光灯或白炽灯的替代品的照明设备、车辆的头灯以及交通灯。氮化物半导体发光器件采用作为绝缘性衬底的蓝宝石衬底，这是因为可商购的衬底中没有具有与诸如GaN的氮化物半导体材料相同的晶体结构同时可与氮化物半导体材料晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层被设置成在相同方向上彼此邻近，所述有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层具有比所述势垒层小的能带隙；掩模层，所述掩模层设置在所述第一导电类型半导体层中；第一电极，所述第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部。

【技术特征摘要】
2011.09.05 KR 10-2011-00894921.一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层、所述有源层和所述第二导电类型半导体层被设置成在相同方向上彼此邻近，所述有源层包括交替地堆叠至少一次的阱层和势垒层，并且所述阱层具有比所述势垒层小的能带隙；掩模层，所述掩模层设置在所述第一导电类型半导体层中；第一电极，所述第一电极设置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述第一导电类型半导体层被形成有至少一个凹部，其中，所述掩模层包括掩蔽区和与所述掩蔽区区分的窗口区，以及其中，所述凹部与所述窗口区垂直地重叠，并且不与所述掩蔽区垂直地相重叠。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极与所述窗口区垂直地重叠且不与所述掩蔽区垂直地重叠。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述凹部设置在所述窗口区和所述有源层之间。4.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层包括SiO2或SiN中的至少一种。5.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层被构图为：经构图的掩模层的水平截面形状具有预定的形状。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述掩模层的水平截面形状包括格子形状、条纹形状、圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。7.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光结构设置在衬底之上，并且所述衬底包括形成在所述衬底的表面处的光提取结构，该光提取结构邻近于所述发光结构。8.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，进一步包括：透明电极层，所述透明电极层设置在所述发光结构和所述第二电极之间。9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述透明电极层的至少一部分与所述第二电极垂直地重叠。10.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，进一步包括：电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间。11.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述掩模层具有0.01至1.5μm的厚度。12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述窗口区和所述掩蔽区具有1:0.1至10的宽度比。13.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述凹部形成在所述第一导电类型半导体层的上表面的、来自所述发光器件的下部的螺旋位错到达的一部分处。14.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层包括AlGaN。15.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述凹部包括V型坑形状、倒多边形玉米形状或者倒金字塔形状。16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述有源层被形成有与所述第一导电类型半导体层的凹部相对应的凹部。17.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述透明电极层的厚度在60～170nm的范围内。18.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述第一和第二电极的宽度分别在50～150μm的范围内。19.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述第一和第二电极的厚度分别在1000～1500nm的范围内。20.根据权利要求1至3中任何一项所述的发光器件，其中，所述发光器件的总高度在100～20...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑明训，林贤哲，金设禧，崔洛俊，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：