水平结构的LED芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本发明专利技术的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片，特别涉及一种水平结构的LED芯片。
技术介绍
LED是发光二极管(LED, Lighting emitted diode),是利用在电场作用下,PN结发光的固态发光器件。具有高寿命/环保/节能的特点，是绿色环保的新光源。LED技术日趋发展成熟，目前通常LED发白光是通过蓝色芯片激发黄绿荧光粉，进行波长调和而产生出的白光，市场上大规模生产的暖白光效率达到120 lm/W,超过大部分传统光源。一般而言，LED 是通过 MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀)在蓝宝石衬底或碳化硅衬底上长出P型层、η型层以及ρ-η结发光层，然后通过点亮、切割、扩散颗粒、分等级等工艺做成不同尺寸的芯片，一般而言有10*10 mil, 10*23mil, 24*24 mil, 40*40 mil等尺寸，可以承受从10mA lA的恒流电流驱动。传统的封装是·将这些芯片固定在一个封装支架上，通过金线焊接芯片的阴极和阳极，通入电流来驱动LED发出蓝色单波长光，从而激发黄绿荧光粉形成白光。支架一般采用工程塑本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n?GaN层（5）和p?GaN层（2），其特征在于：所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n?GaN层（5）和p?GaN层（6）上涂覆一层透明SiO2绝缘层（3），?并在n?GaN层（5）和p?GaN层（2）上分别镀上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿崧，文国军，严华锋，
申请(专利权)人：上海顿格电子贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：