【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可见光发光二极管，特别是基于碳纳米管材料的可见光发光二极管。
技术介绍
碳纳米管是一种一维纳米材料，具有很高的机械强度，极高的电子迁移率，很好的热稳定性和化学稳定性，是极具希望的下一代微纳器件的核心材料。半导体性的碳纳米管是直接带隙材料，可用于发光器件和光探测器件。但是基于纯碳纳米管制作光电器件存在两个较大的问题。第一碳纳米管是金属性还是半导体性取决于具体每根管的螺旋结构，直接合成的碳纳米管样品均是金属性和半导体性管的混合物。而金属性的碳纳米管不能用来制作光电器件，这对基于碳纳米管的微纳器件的集成带来极大的困难。第二 半导体性碳纳米管的带隙较小，实验上成功合成的碳纳米管带隙都处于红外波段。无法应用于制作可见光波段的器件。
技术实现思路
针对纯碳纳米管应用于发光器件存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种可获得极高的集成度的基于硼碳氮纳米管的可见光发光二极管。为实现上述目的，本专利技术基于硼碳氮纳米管的可见光发光二极管，以硼氮掺杂碳纳米管为发光体，对其施加正向偏压时，发光体在可见光波段发光；其中，硼氮掺杂碳纳米管直接生长在绝缘衬底或者转移到绝缘衬底上，使...
【技术保护点】
基于硼碳氮纳米管的可见光发光二极管，其特征在于，该可见光发光二极管以硼氮掺杂碳纳米管为发光体，对其施加正向偏压时，发光体在可见光波段发光；其中，硼氮掺杂碳纳米管直接生长在绝缘衬底或者转移到绝缘衬底上，使用非对称电极技术或者局域门电极技术在硼氮掺杂碳纳米管上制作pn结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓霞，王文龙，许智，白雪冬，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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