氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构制造技术

本发明专利技术涉及一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层上淀积有钝化层，在钝化层上设有接触孔，P电极填充于该接触孔内，P电极与透明导电层等电位连接；其特征是：在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区，P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸，P型蚀刻区在P型氮化镓层内延伸的距离小于P型氮化镓层的厚度，P电极填充于P型蚀刻区内。本发明专利技术可以避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片结构，尤其是一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，属于LED芯片

技术介绍
发光二极管(LED)芯片可靠性与电流扩展关系密切，而P型GaN (氮化镓)的接触成为关键，由于P型GaN很难做到良好的导电性，故在此基础上普遍采用透明导电层的方式来实现电流扩展，本身电极位置的设置，在电极与电极之间会形成明显的电流阻塞区域，从而影响LED器件本身的出光和可靠性及寿命。而解决此问题大家普遍采用在电极下方制作一层钝化层的方式，但由于钝化层方案本身由于粘附等问题影响器件可靠性，另加工步骤繁琐不适合推广。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，该二极管芯片结构改善了电流的传输堵塞，结构简单紧凑，提高了 LED芯片的发光效率，与现有加工工艺相兼容，延长了 LED芯片使用寿命，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，N型氮化镓层覆盖于衬底上；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层，P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底（1）及位于衬底（1）上方的P电极（5）和N电极（6），衬底（1）上淀积N型氮化镓层（2），N型氮化镓层（2）覆盖于衬底（1）上；在所述N型氮化镓层（2）上设有量子阱（3），量子阱（3）上设有P型氮化镓层（4），P型氮化镓层（4）上设有透明导电层（7），透明导电层（7）覆盖于P型氮化镓层（4）上，并与P型氮化镓层（4）电连接；所述透明导电层（7）上淀积有钝化层（8），钝化层（8）覆盖于透明导电层（7）上，并包覆透明导电层（7）下方的P型氮化镓层（4）与量子阱（3）；在所述钝化层（8）上设有接触孔，P电极（5）填充于该接触孔内，P电极（5）与透明导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜高云，张淋，邓群雄，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：