【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种GaN半导体器件，且更具体而言，涉及一种具有改善的表面形貌特性的。
技术介绍
例如氮化物半导体激光二极管的常规GaN基器件实现在c面GaN衬底上。然而，GaN晶体的c面已知为极面。因此，在氮化物半导体激光二极管中，通过由c面的极化所形成的内电场的影响，可以减小电子与空穴复合的几率，这降低了氮化物半导体激光二极管的发光效率。为了解决该问题，已经开发了一种在不具有极性的a面GaN衬底上实现半导体器件的技术。图I是常规的a面GaN衬底的剖面图，且图2和3分别是剖面扫描电子显微镜(SEM)照片和表面SEM照片，显示了图I所示的a面GaN衬底。通过在r面蓝宝石衬底2上外延生长a面GaN层6，可以获得a面GaN衬底。然而，r面蓝宝石衬底2和a面GaN层6之间的晶格失配为相当大的约16. 2%，由此在堆叠在r面蓝宝石衬底2上的a面GaN层6的表面上产生了由应力导致的V形缺陷。因此，当在其上产生了 V形缺陷的a面GaN层6的表面上实现器件时，降低了器件特性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有改善的表面形貌特性的。根据本专利技术的方面，提供有一种半导体器件，其...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1?x)N缓冲层，其中0≤x<1，在900?1100℃的温度下在包含N2的气体环境下，在所述r面蓝宝石衬底上外延生长至的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于所述缓冲层上，其中所述第一a面GaN层具有镜面状表面形貌。FDA00002329339200011.jpg
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：白好善，司空坦，孙重坤，李成男，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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