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本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1-x)N（0≤x<1）缓冲层，在900-1100℃的温度下在包含氮气（N2）的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至的范围的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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