一种垂直结构的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种垂直结构的LED芯片，包括：外延层；形成于所述外延层的表面上的第一基板以及形成于所述第一基板上的第二基板。通过调整第一基板和第二基板的膨胀系数可以有效的调整外延层所受的应力，使得外延层在衬底剥离步骤中应力能够得到适当的释放，减小因此产生的外延层龟裂现象，从而提高衬底剥离良率，减小芯片漏电，提高芯片可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电信息
，特别涉及一种垂直结构的LED芯片。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)是一种新型固态冷光源，具有效率高、寿命长、体积小、电压低等诸多优点，尤其是在节能环保方面，LED相比普通白炽灯和荧光灯具有明显的优势。目前LED已经广泛应用于人们的日常生活中，交通红绿灯、车头灯、户外显示器、手机背光源，电器的指示灯和照明路灯都已经开始采用LED。未来LED代替传统光源成为主要照明光源已经成为共识，然而要代替传统光源，LED在亮度和散热性能两方面还需要进一步的改 盡口 ο目前LED芯片外延层都是米用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在同质或异质衬底上制备，因为衬底吸光和导热差，对LED芯片亮度和散热性能造成很大的影响。基板转移技术是将外延层转移到导热性好的基板上，然后在外延层上制造反射层，最后将原来的衬底和外延层剥离。在基板转移技术中，因为采用了导热性能好的基板，可以有效提高LED芯片的散热性能，同时因为反射层的存在，提高了 LED芯片的出光效率从而提高了 LED芯片的亮度。但在基板转移过程中，若应力控制不当，外延层张应力过大，会导致外延层龟裂；若外延层受到压应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构的LED芯片，包括：外延层；形成于所述外延层正面上的第一基板，用于缓冲所述外延层和第二基板之间的应力；以及形成于所述第一基板上的第二基板，用于支撑所述垂直结构的LED芯片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张昊翔，封飞飞，万远涛，金豫浙，李东昇，江忠永，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：