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本实用新型公开了一种垂直结构的LED芯片，包括：外延层；形成于所述外延层的表面上的第一基板以及形成于所述第一基板上的第二基板。通过调整第一基板和第二基板的膨胀系数可以有效的调整外延层所受的应力，使得外延层在衬底剥离步骤中应力能够得到适当的释...
该专利属于杭州士兰明芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰明芯科技有限公司授权不得商用。

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