一种新型多量子阱发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及了一种新型多量子阱发光二极管。所述的新型多量子阱发光二极管，其外延结构由下而上依次为衬底1、缓冲层2、未掺杂GaN层3、掺杂的GaN?层4、多量子阱InyGa1-yN/InxGa1-xN有源层5、电子阻挡层6、p型空穴层及接触层?7。多量子阱InyGa1-yN/InxGa1-xN有源层5包括InyGa1-yN垒层51和InxGa1-xN阱层52，InxGa1-xN阱层52包括三层，分别为：x逐渐增加的521层，x?定的522层，x逐渐减少的523层。其中0≤y＜1，y＞x，0＜x＜1。InyGa1-yN垒层51和InxGa1-xN阱层52周期数在5至15个周期之间。本使用新型结构会减少阱和垒之间的应力，极化作用减弱，获得了比较好的晶体质量；同时增加了电子和空穴注入量子阱中的效率，从而提高了光输出功率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种新型多量子阱发光二极管
本技术专利涉及电子器件
，具体涉及一种新型多量子阱发光二极管。
技术介绍
发光二极管可以将电能直接转换为光能，光电转换效率远远超过传统的白炽灯和荧光灯。在提倡节能减排的今天，发光二极管的性能的提高具有重要意义。另外由于GaN 基材料可以发射从紫外到可见光的整个波段，其应用范围极其广阔，包括指示灯，背光源， 显示器，家用及商用照明。但是要使得LED得到完全普及，GaN的二极管的发光效率还需进一步提升。特别在外延制程中如何提高电子和空穴的注入效率以及辐射复合效率，显得尤为关键。传统的GaN阱都为矩形的，由于GaN和InxGai_xN之间晶格系数的不同，在交界面处会产生应力，应力的存在会使得能带歪曲，从而造成电子和空穴波函数在空间分离，同时电子和空穴更加容易逃离量子阱，从而使得注入效率和辐射复合效率都降低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种新型多量子阱发光二极管，其中新型多量子阱结构可以减少垒和阱界面处的应力，缓解能带的弯曲，从而提高电子和空穴的注入效率和辐射复合效率。本技术的实现方式是一种新型多量子阱发光二极管，其外延结构由下而上依次为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型多量子阱发光二极管，其特征在于：所述的发光二极管其外延结构由下而上依次为衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、掺杂的GaN层、多量子阱lnyGa1？yN/InxGa1？xN有源层、电子阻挡层、p型空穴层及接触层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戚雪林，郝锐，吴质朴，马学进，
申请(专利权)人：江门市奥伦德光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：