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本实用新型涉及了一种新型多量子阱发光二极管。所述的新型多量子阱发光二极管，其外延结构由下而上依次为衬底1、缓冲层2、未掺杂GaN层3、掺杂的GaN?层4、多量子阱InyGa1-yN/InxGa1-xN有源层5、电子阻挡层6、p型空穴层及接触...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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