一种能消除应力的发光二极管结构及其制作方法技术

一种能消除应力的发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明专利技术结构包括蓝宝石衬底和置于蓝宝石衬底上的外延层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底内部形成有纵横交错的切割划痕。同现有技术相比，本发明专利技术能减小GaN基LED材料外延生长过程中产生的应力，提高GaN基LED外延材料的均匀性和GaN基LED芯片的产出良率，有利于外延衬底尺寸的进一步扩大。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电
，特别是能消除应力的发光二极管结构及其制作方法。
技术介绍
近来，以GaN材料为代表的第三代半导体技术，成为继Si、GaAs之后再次吸引世人瞩目的高新半导体技术。GaN基蓝绿光发光二极管LED的研制成功，实现了 LED对于可见光波段的全覆盖，同时由于基于LED的照明技术具有节能、环保、无毒害、无污染、响应速度快、固体光源、抗震、抗冲击、轻薄短小等特点，LED现在已经广泛的渗透进了我们的日常生活领域如信号指示和信息显示等领域；液晶显示用背光源、户外及室内照明领域；生物、医疗等特殊领域的辐射照明功用领域等。通用照明是LED应用最具发展潜力的领域，也是半导体照明的终极目标。白光LED绿色节能的照明光源，发光效率已经超过白炽灯的10倍，使用寿命达到10万小时，在能源日趋紧张的当今时代，LED进入通用照明领域无疑具有非常大的市场前景。 在GaN基蓝绿光LED制造过程中最核心的技术是III-V族氮化物半导体材料的MOCVD外延生长，它直接决定了 III-V族氮化物半导体材料的晶体质量，同时也决定了 LED芯片各项光电参数的一致性和稳定性，以及LED芯片的产出良率。目前大多数的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能消除应力的发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底(21)和置于蓝宝石衬底(21)上的外延层(22)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(21)内部形成有纵横交错的切割划痕(23)。

【技术特征摘要】
1.一种能消除应力的发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底(21)和置于蓝宝石衬底(21)上的外延层(22)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(21)内部形成有纵横交错的切割划痕(23)。2.一种能消除应力的发光二极管结构的制造方法，它的步骤为 ①运用激光对蓝宝石衬底(21)...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东海，李志翔，蔡炯棋，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：