一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力释放层、绝缘层、N型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层、保护层。其中N电极深入N型氮化镓，有效改善了N电极下方的电流拥挤效应；另外，为了防止因N电极深入N型氮化镓后，电流直接注入N型氮化镓内部而引起的电流泄露，我们在N型氮化镓下方生长一层电流绝缘层，来起到阻挡电流的作用。本发明专利技术有效改善了N电极区域的电流拥挤效应，有利于提高电流注入，从而提高二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及led芯片领域，尤其是一种改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

1、蓝宝石图形衬底上的氮化镓基发光二极管中，由于横向电阻的存在造成靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤，造成p-n结电流不均匀，不仅影响了器件的发光性能，对器件的可靠性也有很重要的影响。

2、要使电流均匀扩展，就需要降低电流通道的电阻。一方面是提高n型氮化镓材料的电导率，减小n型氮化镓的横向电阻；然而随着n型氮化镓层掺杂浓度的提高，会导致晶体质量下降，加剧载流子的散射效应，反而影响电导率的改善，所以对于n型氮化镓材料的掺杂浓度也需要控制在一定的需求范围内。另一方面，优化电极图形，通过改变电流的通道路径来减小横向电阻；优化的电极图形，搭配合适的透明导电层及电流扩展层，可以较好的提高电流注入效率及注入均匀性。但是对于n电极下方区域的电流通道来说，电流密度依旧较大，电流拥挤状况得不到较为有效的缓解。

技术实现思路

1、专利技术目的：为了解决现有技术所存在的问题，本专利技术提供了一种改善n电极电流拥挤效本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于由下至上包括以下结构：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力释放层、绝缘层、N型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层、保护层。

2.根据权利要求1所述的改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层材料为氮化硅材料。

3.根据权利要求1所述的改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于：所述N型氮化镓层中深入嵌入N电极，所述N电极部分或完全嵌入所述N型氮化镓层中。

4.根据权利要求1所述的改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于由下至上包括以下结构：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力释放层、绝缘层、n型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层、透明导电层、电极层、保护层。

2.根据权利要求1所述的改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层材料为氮化硅材料。

3.根据权利要求1所述的改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于：所述n型氮化镓层中深入嵌入n电极，所述n电极部分或完全嵌入所述n型氮化镓层中。

4.根据权利要求1所述的改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯片，其特征在于：所述量子肼发光层为ingan/gan多量子阱发光层。

5.根据权利要求1所述的改善n电极电流拥挤效应的发光二极管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝琴，朱剑峰，黄季前，任飞，徐扣琴，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：