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本发明公开了一种改善N电极电流拥挤效应的发光二极管芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、缓冲层、应力释放层、绝缘层、N型氮化镓层、电流扩展层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、透明导电层、电极层、保护层。其中N电...
该专利属于南通同方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司授权不得商用。

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