一种自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列及其制备方法和在紫外线光电探测器中的应用技术

本发明专利技术属于紫外光电探测技术领域，涉及一种自支撑SiC/SnO<subgt;2</subgt;异质结纳米阵列及其制备方法和在紫外线光电探测器中的应用。本发明专利技术的自支撑SiC/SnO<subgt;2</subgt;异质结纳米阵列采用了阳极氧化法和化学浴沉积法进行制备，这种方法不仅工艺简便，而且成本低廉，为大规模生产提供了可行性。本发明专利技术SiC/SnO<subgt;2</subgt;异质结纳米阵列对200‑400纳米波长范围内的紫外线具有高效的吸收能力，尤其在260纳米波长处达到了光能转换效率的最大化，这意味着该材料能够有效地捕捉并转换紫外光，为高性能紫外光电探测器提供了坚实的基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于紫外光电探测，涉及一种自支撑sic/sno2异质结纳米阵列及其制备方法和在紫外线光电探测器中的应用。

技术介绍

1、水下无线通信技术作为水下工业的重要研究工具，在水下勘探及海上军事等领域发挥着至关重要的作用。其中，水下光通信技术凭借其高传输速率、大带宽、高安全性、低延迟以及较低的成本等优点，在众多水下通信手段中脱颖而出，被视为未来水下无线通信技术的发展方向。为了构建具备更强大通信能力的水下光通信系统，必须研发能够在恶劣水下环境中长期稳定工作的自供电、耐水腐蚀的光电探测器(pd)。

2、当前，自供电pd的研发是一个热点领域，而在众多的自供电pd中，光电化学(pec)型pd由于其光响应的高度可调节性、在水下条件下的耐久工作能力、成本效益以及无需复杂光刻工艺的制造过程等优势，成为了该领域的研究重点。因此，pec pds被认为是水下光通信系统中理想的选择，它们不仅能够提供可靠的光接收功能，还能在能量效率方面表现出色。

3、在众多宽带隙半导体材料中，4h-sic作为一种典型的第三代半导体材料，因其宽带隙、高载流子迁移率、出色的物本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列，其特征在于，所述纳米阵列包括SiC单晶纳米线及负载于SiC单晶纳米线上的SnO2。

2.一种如权利要求1所述自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述一种自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤S1电解液为体积比(5-8)：(2-5)：1的C2H5OH、HF和H2O2的混合液。

4.根据权利要求2所述一种自支撑SiC/SnO2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤S1阳极氧化具体包括如下步骤：先在15-20V下阳极氧...

【技术特征摘要】

1.一种自支撑sic/sno2异质结纳米阵列，其特征在于，所述纳米阵列包括sic单晶纳米线及负载于sic单晶纳米线上的sno2。

2.一种如权利要求1所述自支撑sic/sno2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述一种自支撑sic/sno2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤s1电解液为体积比(5-8)：(2-5)：1的c2h5oh、hf和h2o2的混合液。

4.根据权利要求2所述一种自支撑sic/sno2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤s1阳极氧化具体包括如下步骤：先在15-20v下阳极氧化0.5-2min，周期为0.6-1.0ms(ton＝0.3-0.5ms，toff＝0.3-0.5ms)，然后在25-35v下阳极氧化100-200s，最后在15-20v下阳极氧化8-12min。

5.根据权利要求2所述一种自支撑sic/sno2异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，步骤s1阳极氧化次...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈善亮，邹博聪，王沪林，李维俊，刘志恒，林严，杨为佑，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：