集成图形阵列高压LED器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法，包括如下工艺步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层；通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以上的独立图形单元，其中各个图形单元呈三角形，每相邻图形单元之间相对并交错设置以构成四边形，多个相邻图形单元所构成的四边形呈阵列排布；将每个图形单元由金属线连结形成串联和/或并联，由此形成互联的多个LED。出于改善电流分布以提高器件发光效率的目的，本发明专利技术还于各单元的P型金属接触下方设置了电流阻挡层；另外，本发明专利技术还制备了绝缘材料覆盖于芯片表面以起到保护芯片和增加芯片光提取效率的目的。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子发光器件制造领域，特别描述了一种集成图形阵列高压LED的设计和制备方法。
技术介绍
随着以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点的第三代半导体材料的兴起，伴随着以III族氮化物为基础的高亮度发光二级管(Light Emitting Diode, LED)的技术突破，用于新一代绿色环保固体照明光源的氮化物LED正在成为新的研究热点。以GaN(氮化镓)、InGaN (氮化铟镓)和AlGaN (氮化铝镓)合金为主的III族氮化物半导体具有宽的直接带隙、内外量子效率高、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗震性、高强度和高硬度等特性，是目前制造高亮度发光器件的理想材料。 目前，LED应用的不断升级以及市场对于LED的需求，使得LED正朝着大功率和高亮度的方向发展。但是，随着大功率LED照明产业应用的快速发展，往往需要将几个或几十个，甚至上百个LED串联或并联起来使用，以制备高压LED器件。这种结构的高压LED器件键合引线多、成本高、面积大，并且在大电路下由于俄歇复合的发生，电流密度局部容易产生拥挤效应，LED的光效直线下降。而在同样的输出功率下，虽然高压LED器件比低压LED器件所需的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法,其特征在于,它包括如下工艺步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层；通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以上的独立图形单元，其中每个图形单元呈三角形，所述的图形单元呈阵列分布并整体上构成四边形；将每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联，由此形成互联的多个LED。

【技术特征摘要】
1.一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法，其特征在于，它包括如下工艺步骤 提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层； 通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以上的独立图形单元，其中每个图形单元呈三角形，所述的图形单元呈阵列分布并整体上构成四边形； 将每个图形单元由导电材料连结形成串联和/或并联，由此形成互联的多个LED。2.根据权利要求I所述集成图形阵列高压LED器件的制备方法，其特征在于制备绝缘材料覆盖于芯片表面以保护芯片和增加芯片光提取效率。3.根据权利要求2所述集成图形阵列高压LED器件的制备方法，其特征在于制备绝缘材料填充于刻蚀至衬底的深沟并作为掩膜，使GaN侧面得到保护防止漏电，利用光刻的方法制备图形并作为掩膜，并将深沟以外的部分利用化学或物理的方法去除掉使GaN暴露出。4.根据权利要求2所述集成图形阵列高压LED器件的制备方法，其特征在于制备绝缘材料覆盖于芯片表面，利用光刻的方法制备图形并作为掩膜，将除打线盘以外的部分保护起来，减少由于外来物导致的漏电情况并利用透射原理增加芯片的光提取效率。5.根据权利要求2所述集成图形阵列高压LED器件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸿悦，宋士惠，孙智江，
申请(专利权)人：海迪科苏州光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：