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本发明公开了一种集成图形阵列高压LED器件的制备方法，包括如下工艺步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层；通过光刻结合蚀刻工艺将衬底上的N型GaN限制层、外延发光层和P型GaN限制层隔离出至少两个以...
该专利属于海迪科（苏州）光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海迪科（苏州）光电科技有限公司授权不得商用。

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