具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1≤X≤50；优选所述的Delta掺杂层的厚度≤1nm；本实用新型专利技术可以提高电流扩展层的横向电导率，有效降低发光二极管的正向工作电压，提高发光二极管的光电转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管，尤其是一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管。
技术介绍
目前，半导体发光二极管已经被广泛地应用于显示、照明和通讯等经济生活中。发光二极管的光电转换效率可由其输出的光功率与输入的电功率的比值所决定。为了提高发光二极管的光电转换效率，可以从两个方面入手一是提高发光二极管输出的光功率，譬如通过表面粗化减少全反射，从而提高光取出效率；二是降低发光二极管输入的电功率，譬如通过降低工作电压来减小功耗。 当电流从发光二极管的顶电极注入到有源区中时，电流一般都聚集在顶电极的下方，因此只有顶电极下方的一小部分有源区能够发光。这部分有源区发出的光在射向顶部时，会被不透明的顶电极所反射，无法有效地出射到空气中，降低了发光二极管的光取出效率，也即影响到发光二极管的光输出功率。为了解决这个问题，可以在电极下方增加一层电流扩展层，从而将电流扩展到未被电极遮盖的区域。为了提高电流扩展层的电流扩展性能，现有发光二极管的电流扩展层常常会在基材层如AlGaAs材料层中均匀掺杂如Si、Mg等掺杂源，以提高电流扩展性能，但这种电流扩展层的电导率还是不理想，特别是电流在水平方向上无法充分扩展，从而导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管，包括一衬底，在衬底的下面连接有第一电极，在衬底的上面依次连接有第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层及第二电极，其特征在于：沿第二型电流扩展层的生长方向间隔连接X个Delta掺杂层，其中1？≤？X？≤？50。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯轩，林志伟，蔡建九，林志园，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：