AMOLED像素驱动系统及AMOLED像素驱动方法技术方案

本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动系统及AMOLED像素驱动方法。该AMOLED像素驱动系统包括4T1C架构的像素驱动电路、以及与所述像素驱动电路电性连接的初始化电压供电模块，通过初始化电压供电模块在发光阶段为像素驱动电路提供高电平的初始化信号，在有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定的同时，还能减少发光阶段驱动薄膜晶体管栅极和源极的漏电流，提升发光阶段补偿数据的稳定性和阈值电压补偿效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素驱动系统及AMOLED像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。请参阅图1，图1为现有的一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、第三薄膜晶体管T30、第四薄膜晶体管T40、电容C10、以及有机发光二极管D10，所述第一薄膜晶体管T10的栅极接入第一扫描信号Scan1，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，所述第二薄膜晶体管T20的漏极接入电源电压OVDD，源极电性连接有机发光二极管D10的阳极，所述第三薄膜晶体管T30的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，漏极电性连接第四薄膜晶体管T40的源极，所述第四薄膜晶体管T40的栅极接入第二扫描信号Scan2，源极接入初始化电压Vini，漏极电性连接有机发光二极管D10的阳极，所述电容C10的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，另一端电性连接有机发光二极管D10的阳极，所述有机发光二极管D10的阴极接地。该AMOLED像素驱动电路依次经过复位、阈值电压侦测、阈值电压补偿、和发光四个阶段来完成像素驱动，可以实现对驱动薄膜晶体管即第二薄膜晶体管T20的阈值电压特性漂移的补偿，然而由于该AMOLED像素驱动电路中的初始化电压Vini始终为低电平，因此在发光阶段所述第四薄膜晶体管T40的源极电压会低于第二薄膜晶体管T20的栅极和源极的电压，进而导致第二薄膜晶体管T20的栅极和源极产生漏电流，漏电流的存在使OLED补偿数据存在漂移，第二薄膜晶体管T20的栅极和源极两点电压出现畸变，影响补偿效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种AMOLED像素驱动系统，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，减少漏电流，提升发光阶段补偿数据的稳定性，提升补偿效果。本专利技术的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，减少漏电流，提升发光阶段补偿数据的稳定性，提升补偿效果。为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED像素驱动系统，包括：像素驱动电路、以及与所述像素驱动电路电性连接的初始化电压供电模块；所述像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、电容、以及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极接入电源电压，源极电性连接于第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第三节点；所述第四薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第二节点；所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二节点，阴极接地；所述初始化电压供电模块电性连接于第三节点，并按照时序向所述第三节点提供具有高低交替电平的初始化信号，且所述初始化信号的高电平等于所述有机发光二极管发光时第一节点的电平或等于所述有机发光二极管发光时第二节点的电平或大于所述有机发光二极管发光时第一节点的电平。所述初始化电压供电模块包括：多路复用器、初始化高电压产生模块、以及初始化低电压产生模块；所述多路复用器的输入端分别电性连接初始化高电压产生模块和初始化低电压产生模块，输出端电性连接于第三节点，控制端接入第一选通信号与第二选通信号。所述AMOLED像素驱动系统还包括：控制信号产生模块、与所述控制信号产生模块电性连接的第一扫描信号输出处理模块、以及与所述控制信号产生模块电性连接的数据信号输出处理模块；所述控制信号产生模块向所述第一扫描信号输出处理模块、以及数据信号输出处理模块分别提供第一扫描信号的使能信号、以及数据信号的驱动信号控制第一扫描信号输出处理模块、以及数据信号输出处理模块分别输出第一扫描信号和数据信号；所述第一选通信号为第一扫描信号的使能信号，所述第二选通信号为数据信号的驱动信号；当所述第一扫描信号的使能信号为高电平时，所述第一扫描信号为低电平，当所述第一扫描信号的使能信号为低电平时，所述第一扫描信号为高电平；当所述数据信号的驱动信号为低电平时，所述数据信号为低电平，当所述数据信号的驱动信号为高电平时，所述数据信号为高电平；当所述第一扫描信号的使能信号和所述数据信号的驱动信号均为高电平时，所述初始化信号为高电平，其余时刻所述初始化信号均为低电平。所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、以及数据信号相组合，先后对应于一复位阶段、一阈值电压侦测阶段、一阈值电压补偿阶段、以及一发光阶段；在所述复位阶段中，所述第一扫描信号提供低电平，所述第二扫描信号提供高电平，所述数据信号提供低电平，所述初始化信号提供为低电平；在所述阈值电压侦测阶段中，所述第一扫描信号切换至高电平，所述第二扫描信号切换至低电平，所述数据信号维持低电平，所述初始化信号维持低电平；在所述阈值电压补偿阶段中，所述第一扫描信号维持高电平，所述第二扫描信号维持低电平，所述数据信号切换至高电平，所述初始化信号维持低电平；在发光阶段中，所述第一扫描信号切换至低电平，所述第二扫描信号维持低电平，所述数据信号维持高电平，所述初始化信号切换至高电平。所述数据信号的低电平高于所述初始化信号的低电平。所述控制信号产生模块为FPGA。本专利技术还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：步骤S1、提供一AMOLED像素驱动系统，包括：像素驱动电路、以及与所述像素驱动电路电性连接的初始化电压供电模块；所述像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、电容、以及有机发光二极管；所述第一薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极接入电源电压，源极电性连接于第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第三节点；所述第四薄膜晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动系统，其特征在于，包括：像素驱动电路(10)、以及与所述像素驱动电路(10)电性连接的初始化电压供电模块(20)；所述像素驱动电路(10)包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、电容(C1)、以及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(G)，漏极接入电源电压(OVDD)，源极电性连接于第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第三节点(B)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接于第三节点(B)，漏极电性连接于第二节点(S)；所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(G)，另一端电性连接于第二节点(S)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第二节点(S)，阴极接地；所述初始化电压供电模块(20)电性连接于第三节点(B)，并按照时序向所述第三节点(B)提供具有高低交替电平的初始化信号(Vini)，且所述初始化信号(Vini)的高电平等于所述有机发光二极管(D1)发光时第一节点(G)的电平或等于所述有机发光二极管(D1)发光时第二节点(S)的电平或大于所述有机发光二极管(D1)发光时第一节点(G)的电平。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动系统，其特征在于，包括：像素驱动电路(10)、以及与所述像素驱动电路(10)电性连接的初始化电压供电模块(20)；所述像素驱动电路(10)包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、电容(C1)、以及有机发光二极管(D1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(G)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(G)，漏极接入电源电压(OVDD)，源极电性连接于第二节点(S)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第三节点(B)；所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接于第三节点(B)，漏极电性连接于第二节点(S)；所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(G)，另一端电性连接于第二节点(S)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第二节点(S)，阴极接地；所述初始化电压供电模块(20)电性连接于第三节点(B)，并按照时序向所述第三节点(B)提供具有高低交替电平的初始化信号(Vini)，且所述初始化信号(Vini)的高电平等于所述有机发光二极管(D1)发光时第一节点(G)的电平或等于所述有机发光二极管(D1)发光时第二节点(S)的电平或大于所述有机发光二极管(D1)发光时第一节点(G)的电平。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动系统，其特征在于，所述初始化电压供电模块(20)包括：多路复用器(21)、初始化高电压产生模块(22)、以及初始化低电压产生模块(23)；所述多路复用器(21)的输入端分别电性连接初始化高电压产生模块(22)和初始化低电压产生模块(23)，输出端电性连接于第三节点(B)，控制端接入第一选通信号与第二选通信号。3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动系统，其特征在于，还包括：控制信号产生模块(30)、与所述控制信号产生模块(30)电性连接的第一扫描信号输出处理模块(40)、以及与所述控制信号产生模块(30)电性连接的数据信号输出处理模块(50)；所述控制信号产生模块(30)向所述第一扫描信号输出处理模块(40)、以及数据信号输出处理模块(50)分别提供第一扫描信号(Scan1)的使能信号(OE1)、以及数据信号(Data)的驱动信号(STB2)控制第一扫描信号输出处理模块(40)、以及数据信号输出处理模块(50)分别输出第一扫描信号(Scan1)和数据信号(Data)；所述第一选通信号为第一扫描信号(Scan1)的使能信号(OE1)，所述第二选通信号为数据信号(Data)的驱动信号(STB2)；当所述第一扫描信号(Scan1)的使能信号(OE1)为高电平时，所述第一扫描信号(Scan1)为低电平，当所述第一扫描信号(Scan1)的使能信号(OE1)为低电平时，所述第一扫描信号(Scan1)为高电平；当所述数据信号(Data)的驱动信号(STB2)为低电平时，所述数据信号(Data)为低电平，当所述数据信号(Data)的驱动信号(STB2)为高电平时，所述数据信号(Data)为高电平；当所述第一扫描信号(Scan1)的使能信号(OE1)和所述数据信号(Data)的驱动信号(STB2)均为高电平时，所述初始化信号(Vini)为高电平，其余时刻所述初始化信号(Vini)均为低电平。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动系统，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、所述第二扫描信号(Scan2)、以及数据信号(Data)相组合，先后对应于一复位阶段(1)、一阈值电压侦测阶段(2)、一阈值电压补偿阶段(3)、以及一发光阶段(4)；在所述复位阶段(1)中，所述第一扫描信号(Scan1)提供低电平，所述第二扫描信号(Scan2)提供高电平，所述数据信号(Data)提供低电平，所述初始化信号(Vini)提供低电平；在所述阈值电压侦测阶段(2)中，所述第一扫描信号(Scan1)切换至高电平，所述第二扫描信号(Scan2)切换至低电平，所述数据信号(Data)维持低电平，所述初始化信号(Vini)维持低电平；在所述阈值电压补偿阶段(3)中，所述第一扫描信号(Scan1)维持高电平，所述第二扫描信号(Scan2)维持低电平，所述数据信号(Data)切换至高电平，所述初始化信号(Vini)维持低电平；在发光阶段(4)中，所述第一扫描信号(Scan1)切换至低电平，所述第二扫描信号(Scan2)维持低电平，所述数据信号(Data)维持高电平，所述初始化信号(Vini)切换至高电平。5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动系统，其特征在于，所述数据信号(Data)的低电平高于所述初始化信号(Vini)的低电平。6.如权利要求3所述的AMOLED像素驱动系统，其特征在于，所述控制信号产生模块(30)为FPGA。7.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一AMOLED像素驱动系统，包括：像素驱动电路(10)、以及与所述像素驱动电路(10)电性连接的初始化电压供电模块(20)；所述像素驱动电路(10)包括：第一薄膜晶体管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利民，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44