【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高功率LED器件玻璃金属封装基座,尤其是能够适用10W-20W大功率LED半导体照明器件散热技术的玻璃金属封装基座。
技术介绍
功率型LED的功率为瓦(W)级。在大功率领域,LED封装向大功率方向发展迅猛,目前比较成熟的商品化的大功率LED输入功率一般为1W,芯片面积其热流密度达到了 lOOW/cm2,如此高的热流密度如不采取有效的导热、散热措施,就会使LED芯片结温过高,芯片出射光子减少,发光效率降低。另一方面,结温的升高还会使芯片的发射光谱峰值波长偏离,导致单色光颜色或白光色温出现变化。随着温度的升高,LED的光效不断下降,寿命也随之大幅度缩短。LED的工作温度越低越好,因此,解决LED芯片的散热问题已成为功率型LED封装和LED照明应用的先决条件和关键问题。目前,已经进入市场的高功率LED 照明器件基座主要由台湾地区和广东一些企业生产,基本采用的是两种结构形式一种是用金属引线与工程塑料成型,表面镀银;一种是印制线路板板与工程塑料成型。他们大都是模仿美国飞利浦和德国欧司朗的基座结构。两种基座虽然发展迅速,广泛使用,但一般使用的功率或是低功率LE ...
【技术保护点】
一种高功率LED器件玻璃金属封装基座,它是由由陶瓷框架、紫铜底板和引线三部分组成,其特征是:陶瓷框架分为陶瓷上件(3)和陶瓷下件(2),紫铜基板(1)为基座基板,陶瓷上件(3)、陶瓷下件(2)与紫铜基板(1)顺序紧配共同钎焊。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:韩肥方,徐玉明,
申请(专利权)人:浙江长兴电子厂有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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