OLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

本发明专利技术提供一种OLED像素驱动电路及像素驱动方法。该OLED像素驱动电路采用7T2C结构，包括第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、第七P型薄膜晶体管(T7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)，第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光控制信号(EM)、及数据信号(Data)相组合先后对应于一复位阶段、一阈值电压检测阶段、一数据写入阶段、及一发光阶段，能够消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对流经有机发光二极管的电流的影响，提高OLED面板的显示均匀性。

OLED pixel driving circuit and pixel driving method

The invention provides a OLED pixel driving circuit and a pixel driving method. The OLED pixel driving circuit uses the 7T2C structure, including the first N type thin film transistor (T1), second N type thin film transistor (T2), third N type thin film transistor (T3), fourth N type thin film transistor (T4), fifth P type thin film transistor (T5), sixth N type thin film transistor (T6), seventh P type thin film transistor (T7), a first capacitor, a second capacitor (C1) (C2), and organic light emitting diode (D1), the first scanning signal (Scan1), second (Scan2), third scanning signal scanning signal (Scan3), the light emitting control signal (EM), and the data signal (Data). The combination has a reset phase, corresponding to a threshold voltage detection stage, a data writing stage, and a luminous stage, it can eliminate the effect of the threshold voltage of the driving thin film transistor on a current flowing through the organic light emitting diode, improve the uniformity of display panel OLED.

【技术实现步骤摘要】
OLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED是电流驱动器件，当有电流流经有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流经有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故OLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的OLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。如图1所示，传统的用于OLED的2T1C像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管T10、第二薄膜晶体管T20、及电容C10。所述第一薄膜晶体管T10为N型薄膜晶体管，用作开关薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管T20为P型薄膜晶体管，用作驱动薄膜晶体管；所述电容C10为存储电容。具体地，第一薄膜晶体管T10的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容C10的一端电性连接；所述第二薄膜晶体管T20的源极接入电源电压VDD，漏极电性连接有机发光二极管D10的阳极；有机发光二极管D10的阴极接入公共接地电压VSS；电容C10的一端电性连接第二薄膜晶体管T20的栅极，另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。OLED显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10导通，数据信号Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C10，然后第一薄膜晶体管T10截止，由于电容C10的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压，使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二极管D10，驱动有机发光二极管D10发光。根据计算流经驱动薄膜晶体管及有机发光二极管电流的公式：IOLED＝K×(Vgs-Vth)2其中：IOLED代表流经驱动薄膜晶体管及有机发光二极管的电流，K为驱动薄膜晶体管的本征导电因子，Vgs代表驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差，Vth代表驱动薄膜晶体管的阈值电压。可见，IOLED的大小与驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth有关。上述传统的OLED像素驱动电路的结构较简单，不具有补偿功能，所以存在很多缺陷，其中比较明显的是：由于薄膜晶体管制造过程中的非均一性，OLED显示面板内每个像素的驱动薄膜晶体管的阈值电压不一致；又因为长时间工作会使驱动薄膜晶体管的材料老化，导致驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，会造成OLED面板显示不均匀的现象。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED像素驱动电路，能够消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对流经有机发光二极管的电流的影响，提高OLED面板的显示均匀性。本专利技术的另一目的在于提供一种OLED像素驱动方法，能够消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对流经有机发光二极管的电流的影响，提高OLED面板的显示均匀性。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种OLED像素驱动电路，包括第一N型薄膜晶体管、第二N型薄膜晶体管、第三N型薄膜晶体管、第四N型薄膜晶体管、第五P型薄膜晶体管、第六N型薄膜晶体管、第七P型薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第七P型薄膜晶体管用作有机发光二极管的驱动薄膜晶体管；第一N型薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；第二N型薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第二节点；第三N型薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极接入电源高电压，漏极电性连接第三节点；第四N型薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第五节点；第五P型薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极电性连接第四节点，漏极接入公共接地电压；第六N型薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极电性连接第五节点，漏极分时接入电源低电压或发光亮度调节电压；第七P型薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第二节点；有机发光二极管的阳极电性连接第二节点，阴极接入公共接地电压；第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第四节点；第二电容的一端电性连接第四节点，另一端电性连接第五节点。所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、发光控制信号、及数据信号相组合先后对应于一复位阶段、一阈值电压检测阶段、一数据写入阶段、及一发光阶段；在所述复位阶段，所述第一扫描信号为高电位，第二扫描信号为低电位，第三扫描信号为低电位，发光控制信号为低电位，数据信号为低电位；第六N型薄膜晶体管的漏极接入电源低电压；在所述阈值电压检测阶段，所述第一扫描信号为低电位，第二扫描信号为高电位，第三扫描信号为低电位，发光控制信号为低电位，数据信号为低电位；在所述数据写入阶段，所述第一扫描信号为低电位，第二扫描信号为低电位，第三扫描信号为高电位，发光控制信号为低电位，数据信号为高电位；在所述发光阶段，所述第一扫描信号为高电位，第二扫描信号为低电位，第三扫描信号为低电位，发光控制信号为高电位，数据信号为低电位；第六N型薄膜晶体管的漏极接入发光亮度调节电压；所述电源低电压高于第七P型薄膜晶体管的阈值电压与有机发光二极管的阈值电压的加和。所述公共接地电压不高于发光亮度调节电压，所述发光亮度调节电压低于电源高电压与有机发光二极管的阈值电压的加和减去数据信号提供的高电位的电压值。所述第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、发光控制信号、及数据信号均通过外部时序控制器产生。所述第一N型薄膜晶体管、第二N型薄膜晶体管、第三N型薄膜晶体管、第四N型薄膜晶体管、第五P型薄膜晶体管、第六N型薄膜晶体管、及第七P型薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。本专利技术还提供一种OLED像素驱动方法，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED像素驱动电路；所述OLED像素驱动电路包括第一N型薄膜晶体管、第二N型薄膜晶体管、第三N型薄膜晶体管、第四N型薄膜晶体管、第五P型薄膜晶体管、第六N型薄膜晶体管、第七P型薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；所述第七P型薄膜晶体管用作有机发光二极管的驱动薄膜晶体管；第一N型薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；第二N型薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第二节点；第三N型薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极接入电源高电压，漏极电性连接第三节点；第四N型薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第五节点；第五P型薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极电性连接第四节点，漏极接入公共接地电压；第六N型薄膜晶体管的栅极接入第一扫描信号，源极电性连接第五节点，漏极分时接入电源低电压或发光亮度调节电压；第七P型薄膜晶体管的栅极电性连接第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED像素驱动电路，其特征在于，包括第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、第七P型薄膜晶体管(T7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；所述第七P型薄膜晶体管(T7)用作有机发光二极管(D1)的驱动薄膜晶体管；第一N型薄膜晶体管(T1)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(a)；第二N型薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第一节点(a)，漏极电性连接第二节点(b)；第三N型薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源高电压(VDDH)，漏极电性连接第三节点(c)；第四N型薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第五节点(e)；第五P型薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第四节点(d)，漏极接入公共接地电压(VSS)；第六N型薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第五节点(e)，漏极分时接入电源低电压(VDDL)或发光亮度调节电压(Vr)；第七P型薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接第一节点(a)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第二节点(b)；有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(b)，阴极接入公共接地电压(VSS)；第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(a)，另一端电性连接第四节点(d)；第二电容(C2)的一端电性连接第四节点(d)，另一端电性连接第五节点(e)。...

【技术特征摘要】
1.一种OLED像素驱动电路，其特征在于，包括第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、第七P型薄膜晶体管(T7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；所述第七P型薄膜晶体管(T7)用作有机发光二极管(D1)的驱动薄膜晶体管；第一N型薄膜晶体管(T1)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(a)；第二N型薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第一节点(a)，漏极电性连接第二节点(b)；第三N型薄膜晶体管(T3)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源高电压(VDDH)，漏极电性连接第三节点(c)；第四N型薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第五节点(e)；第五P型薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第四节点(d)，漏极接入公共接地电压(VSS)；第六N型薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接第五节点(e)，漏极分时接入电源低电压(VDDL)或发光亮度调节电压(Vr)；第七P型薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接第一节点(a)，源极电性连接第三节点(c)，漏极电性连接第二节点(b)；有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(b)，阴极接入公共接地电压(VSS)；第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(a)，另一端电性连接第四节点(d)；第二电容(C2)的一端电性连接第四节点(d)，另一端电性连接第五节点(e)。2.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光控制信号(EM)、及数据信号(Data)相组合先后对应于一复位阶段(S1)、一阈值电压检测阶段(S2)、一数据写入阶段(S3)、及一发光阶段(S4)；在所述复位阶段(S1)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为低电位；第六N型薄膜晶体管(T6)的漏极接入电源低电压(VDDL)；在所述阈值电压检测阶段(S2)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，第二扫描信号(Scan2)为高电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为低电位；在所述数据写入阶段(S3)，所述第一扫描信号(Scan1)为低电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为高电位，发光控制信号(EM)为低电位，数据信号(Data)为高电位；在所述发光阶段(S4)，所述第一扫描信号(Scan1)为高电位，第二扫描信号(Scan2)为低电位，第三扫描信号(Scan3)为低电位，发光控制信号(EM)为高电位，数据信号(Data)为低电位；第六N型薄膜晶体管(T6)的漏极接入发光亮度调节电压(Vr)。3.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述电源低电压(VDDL)高于第七P型薄膜晶体管(T7)的阈值电压与有机发光二极管(D1)的阈值电压的加和。4.如权利要求3所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述公共接地电压(VSS)不高于发光亮度调节电压(Vr)，所述发光亮度调节电压(Vr)低于电源高电压(VDDH)与有机发光二极管(D1)的阈值电压的加和减去数据信号(Data)提供的高电位的电压值。5.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光控制信号(EM)、及数据信号(Data)均通过外部时序控制器产生。6.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、及第七P型薄膜晶体管(T7)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。7.一种OLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED像素驱动电路；所述OLED像素驱动电路包括第一N型薄膜晶体管(T1)、第二N型薄膜晶体管(T2)、第三N型薄膜晶体管(T3)、第四N型薄膜晶体管(T4)、第五P型薄膜晶体管(T5)、第六N型薄膜晶体管(T6)、第七P型薄膜晶体管(T7)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；所述第七P型薄膜晶体管(T7)用作有机发光二极管(D1)的驱动薄膜晶体管；第一N型薄膜晶体管(T1)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(a)；第二N型薄膜晶体管(T2)的栅极接入第二扫...

【专利技术属性】
技术研发人员：邝继木，温亦谦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44