【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED嘉晶结构,尤其涉及一种具有较佳出光效率的LED嘉晶结构。
技术介绍
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的结构中电极是设置在左右两侧，因此电流由P电极流向N电极前会在N型磊晶层处汇集。电流的汇集是会造成电流拥挤效应，即在电流拥挤处温度就愈来愈高，此高温将影响LED的使用寿命以及发光效率。目前改善电流拥挤效应的方式， 为延长P电极以及N电极的长度，以减缓电流拥挤在某一区域，通过延展电极的长度增加电流由P电极流向N电极的路径，以避免单一路径过度拥挤的效应产生。虽然延长电极可以降低电流拥挤的现象，但是延长的电极也缩减了 LED结构的发光面积，尤其是以蚀刻制程在出光面上的电极制作，減少了很多的发光面积。所以如何使电流分布均匀，又能增加发光面积，是目前LED产业努力的课题。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能增加发光面积的LED磊晶结构。ー种LED磊晶结构，包括ー个基板、一个缓冲层以及ー个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，...
【技术保护点】
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面，其特征在于：所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接，所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林雅雯，黄世晟，凃博闵，黄嘉宏，杨顺贵，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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