发光装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置及其制作方法，发光装置包括一电路板、一发光单元以及一异方性导电层。电路板包括多个电极垫。发光单元包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与这些电极垫电性连接。本发明专利技术提供的发光装置及其制作方法，不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光装置及其制作方法。
技术介绍
在现有的覆晶发光二极管封装的结构中，半导体磊晶结构层的边缘会切齐于基板的边缘或内缩，而N电极与P电极的边缘会切齐半导体磊晶结构层的边缘或是与半导体磊晶结构层的边缘相隔一垂直距离，也就是说，N电极与P电极于基板上的正投影面积小于半导体磊晶结构层于基板上的正投影面积，在这样的配置下，当欲将覆晶发光二极管封装组装至一外部电路时，由于N电极与P电极的电极面积相对较小，因此发光二极管封装在组装时易有对位不精准以及电极接触不良的问题产生。另外，现有的覆晶发光二极管的组装方法除了可以将发光二极管封装组装至外部电路，也可以将发光二极管磊晶薄膜直接组装至外部电路。一般而言，可以将发光二极管封装或发光二极管磊晶薄膜直接接合至外部电路，或者是通过焊锡接合至外部电路。然而，在焊锡接合的过程中，焊锡因加热而产生流动性，而容易导致组装完成的发光装置在水平方向上发生短路的情形。此外，以现有接合方式以及接合材料组装完成的发光装置在进行后续加工时，容易因后续加工所产生的应力而造成发光装置发生漏电或损坏的情形，使得发光装置良率低落。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置及其制作方法，不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。本专利技术提供一种发光装置，其不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。本专利技术提供一种发光装置的制作方法，其制作的发光装置不易在水平方向上发生短路或是漏电，且其良率佳。本专利技术的一种发光装置，包括一电路板、一发光单元以及一异方性导电层。电路板包括多个电极垫。发光单元包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与这些电极垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，发光单元还包括一基板。半导体磊晶结构层配置于基板上，且第一电极以及第二电极配置于半导体磊晶结构层远离基板的一侧上。在本专利技术的一实施例中，发光装置还包括一透光层。发光单元配置于透光层上，发光单元配置于透光层与第一电极之间，且配置于透光层与第二电极之间。在本专利技术的一实施例中，发光装置还包括一封装体。封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。在本专利技术的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。本专利技术的一种发光装置的制作方法，包括提供包括多个电极垫的一电路板。提供一发光单元。发光单元包括一半导体磊晶结构层以及配置于半导体磊晶结构层上的一第一电极以及一第二电极。以一异方性导电层贴附电路板与发光单元。使第一电极以及第二电极对位这些电极垫。对异方性导电层进行一处理，使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接。在本专利技术的一实施例中，处理包括对异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分加压，使异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分分别电性连接至第一电极以及第二电极。在本专利技术的一实施例中，处理包括对异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分加热，使异方性导电层对应于第一电极以及第二电极的部分分别电性连接至第一电极以及第二电极。在本专利技术的一实施例中，发光单元还包括一基板。半导体磊晶结构层配置于基板上。发光装置的制作方法还包括使第一电极以及第二电极与这些电极垫电性连接后，移除基板。在本专利技术的一实施例中，移除基板的方法包括利用雷射剥离法移除基板。在本专利技术的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。本专利技术的一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于基板上的半导体磊晶结构层，以及一第一电极与第二电极，分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。发光单元配置于透光层上且至少曝露第一电极及第二电极。封装体封装发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极，第一电极与第二电极分别由半导体磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少封装体的部分上表面。第一电极以及第二电极通过异方性导电层与电路板电性连接。在本专利技术的一实施例中，异方性导电层包括一绝缘胶体以及分散于绝缘胶体的多个导电体。在本专利技术的一实施例中，第一电极包括连接半导体磊晶结构层的一第一电极部以及连接第一电极部的一第一电极延伸部，而第二电极包括连接半导体磊晶结构层的一第二电极部以及连接第二电极部的一第二电极延伸部，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别向外延伸于至少部分封装体的上表面。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部切齐于或内缩于封装体的上表面的边缘。在本专利技术的一实施例中，第一电极部与第二电极部切齐于或内缩于半导体磊晶结构层的边缘。在本专利技术的一实施例中，发光装置还包括一或多个平坦的表面，每一平坦的表面包括透光层及封装体。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部包括多个第一栅状电极，而第二电极延伸部包括多个第二栅状电极，这些第一栅状电极分布在第一电极部与封装体的部分上表面上，这些第二栅状电极分布在第二电极部与封装体的部分上表面上。在本专利技术的一实施例中，至少部分第一电极延伸部由第一电极部的边缘往远离第二电极部的方向延伸，且至少部分第二电极延伸部由第二电极部的边缘往远离第一电极部的方向延伸。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括多个彼此分离的子电极。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部的这些子电极位于封装体的上表面上远离第二电极的至少一角落，且第二电极延伸部的这些第二子电极位于封装体的上表面上远离第一电极的至少一角落。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部、第二电极延伸部的顶面与封装体的上表面实质上共平面。在本专利技术的一实施例中，第一电极部与第一电极延伸部为无接缝连接，第二电极部与第二电极延伸部为无接缝连接。在本专利技术的一实施例中，第一电极延伸部与第二电极延伸部分别包括一接着层及一配置于接着层与封装体之间的阻障层。在本专利技术的一实施例中，接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金(SACalloy)或其组合，且阻障层的材质包括镍、钛、鵭、金或其组合的合金。在本专利技术的一实施例中，第一电极与第二电极分别还包括一反射层，分别配置于这些电极延伸部与封装体之间。在本专利技术的一实施例中，反射层的材质包括金、铝、银、镍、钛或其组合的合金。在本专利技术的一实施例中，发光装置还包括一反射层，配置于封装体的表面上。在本专利技术的一实施例中，至少部分反射层位于这些电极与封装体之间。在本专利技术的一实施例中，反射层的材质包括金、铝、银、镍、钛、布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,简称DBR)、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层或其组合。在本专利技术的一实施例中，发光装置还包括一波长转换材料，包覆发光单元并至少曝露部分第一电极及部分第二电极。在本专利技术的一实施例中，波长转换材料包括荧光材料或量子点材料。在本专利技术的一实施例中，波长转换材料是形成在发光单元的表面、形成在封装体的表面或混合在封装体中。在本专利技术的一实施例中，这些第一子电极与这些第二子电极为层状电极、球状电极或栅状电极。本专利技术的一实施例提出一种发光装置，包括一电路板、一发光单元、一透光层、一封装层以及一异方性导电层。发光单元包括一基板、一配置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：一电路板，包括多个电极垫；一发光单元，包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极，所述第一电极以及所述第二电极分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上；以及一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与该些电极垫电性连接。

【技术特征摘要】
2015.04.27 TW 104113482;2015.02.17 US 62/1169231.一种发光装置，其特征在于，包括：一电路板，包括多个电极垫；一发光单元，包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极，所述第一电极以及所述第二电极分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上；以及一异方性导电层，所述第一电极以及所述第二电极通过所述异方性导电层与该些电极垫电性连接。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光单元还包括一基板，所述半导体磊晶结构层配置于所述基板上，且所述第一电极以及所述第二电极配置于所述半导体磊晶结构层远离所述基板的一侧上。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一透光层，所述发光单元配置于所述透光层上，所述发光单元配置于所述透光层与所述第一电极之间，且配置于所述透光层与所述第二电极之间。4.一种发光装置的制作方法，其特征在于，包括：提供包括多个电极垫的一电路板；提供一发光单元，所述发光单元包括一半导体磊晶结构层以及配置于所述半导体磊晶结构层上的一第一电极以及一第二电极；以一异方性导电层贴附所述电路板或所述发光单元；使所述第一电极以及所述第二电极对位该些电极垫；以及对所述异方性导电层进行一处理，使所述第一电极以及所述第二电极与该些电极垫电性连接。5.根据权利要求4所述的发光装置的制作方法，其特征在于，所述处理包括对所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分加压，使所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分分别电性连接至所述第一电极以及所述第二电极。6.根据权利要求4所述的发光装置的制作方法，其特征在于，所述处理包括对所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分加热，使所述异方性导电层对应于所述第一电极以及所述第二电极的部分分别电性连接至所述第一电极以及所述第二电极。7.一种发光装置，其特征在于，包括：一电路板；一发光单元，包括：一基板；一半导体磊晶结构层，配置于所述基板上；以及一第一电极与第二电极，分别配置于所述半导体磊晶结构层的同一侧上；一透光层，所述发光单元配置于所述透光层上；一封装体，位于所述透光层与所述发光单元之间且封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁绍滢，黄靖恩，黄逸儒，黄冠杰，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71